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STMicroelectronics - STD12NF06LT - MOSFET,N沟道,60V,12A,UltraFETII,DPAK - STD12NF06LT
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型号 制造商 描述 操作
STD12NF06LT4
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STMicroelectronics

MOSFET N-Ch 60 Volt 12 Amp

RoHS: Compliant

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型号 制造商 描述 操作
STD12NF06LT4
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STMicroelectronics

Trans MOSFET N-CH 60V 12A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

RoHS: Compliant

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  美国3号仓库    仓库直销,订单金额100元起订,满300元含运,满500元含税运,有单就有优惠,量大更优惠,支持原厂订货
型号 制造商 描述 操作
STD12NF06LT4
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STMicroelectronics

Trans MOSFET N-CH 60V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R - Tape and Reel (Alt: STD12NF06LT4)

RoHS: Compliant

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STD12NF06LT4
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STMicroelectronics

Trans MOSFET N-CH 60V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R (Alt: STD12NF06LT4)

RoHS: Compliant

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型号 制造商 描述 操作
STD12NF06LT4
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STMicroelectronics

MOSFET, N, D-PAK

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  日本5号仓库    仓库直销,订单金额100元起订,满300元含运,满500元含税运,有单就有优惠,量大更优惠,支持原厂订货
型号 制造商 描述 操作
STD12NF06LT4
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STMicroelectronics

MOSFET Operating temperature: -55...+175 °C Drive: logic level Housing type: DPAK Polarity: N Power dissipation: 30 W

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型号 制造商 描述 操作
STD12NF06LT4
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STMicroelectronics

MOSFET Transistor, N-Channel, TO-252AA

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  自家仓库    仓库直销,订单金额100元起订,满300元含运,满500元含税运,有单就有优惠,量大更优惠,支持原厂订货
型号 制造商 描述 库存 起订量 单价
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STD12NF06LT STMicroelectronics MOSFET,N沟道,60V,12A,UltraFETII,DPAK 查看库存、价格及货期
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无图STD12NF06LT
STMicroelectronics
MOSFET,N沟道,60V,12A,UltraFETII,DPAK
Rohs

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STD12NF06LT4|STMICROELECTRONICSSTD12NF06LT4
STMICROELECTRONICS
场效应管 MOSFET N 每卷2500
Rohs

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参考图片 型号/品牌 描述 / 技术参考 操作
无图STD12NF06LT
STMicroelectronics
MOSFET,N沟道,60V,12A,UltraFETII,DPAK
Rohs

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STD12NF06LT4|STMICROELECTRONICSSTD12NF06LT4
STMICROELECTRONICS
场效应管 MOSFET N 每卷2500
Rohs

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制造商产品编号 仓库库存编号 制造商 / 说明 / 规格书 操作
STD12NF06LT4
STMICROELECTRONICS STD12NF06LT4
1175684

STMICROELECTRONICS

晶体管, MOSFET, N沟道, 12 A, 60 V, 80 mohm, 10 V, 3 V

(EN)
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STMicroelectronics - STD12NF06LT4 - MOSFET N-CH 60V 12A DPAK
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 60V 12A DPAK

详细描述:表面贴装 N 沟道 12A(Tc) 42.8W(Tc) D-Pak

型号:STD12NF06LT4
仓库库存编号:497-2487-1-ND
别名:497-2487-1 <br>

无铅
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参考图片 型号/品牌 描述 / 技术参考 操作
STD12NF06LT4|STMicroelectronicsSTD12NF06LT4
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 60V 12A DPAK
Rohs

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参考图片 制造商 / 说明 / 型号 / 仓库库存编号 PDF 操作

ST - STD12NF06LT4 - MOSFET N, 60 V 12 A 30 W DPAK, STD12NF06LT4, ST
ST
MOSFET N, 60 V 12 A 30 W DPAK, STD12NF06LT4, ST


型号:STD12NF06LT4
仓库库存编号:300-18-812

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  英国10仓库    查看更多相关产品
产品描述 / 参考图片 制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号 操作

STMicroelectronics - STD12NF06LT4 - STMicroelectronics STripFET II 系列 N沟道 Si MOSFET STD12NF06LT4, 12 A, Vds=60 V, 3引脚 DPAK封装

制造商零件编号:
STD12NF06LT4
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
687-5166
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STMicroelectronics - STD12NF06LT4 - STMicroelectronics STripFET II 系列 N沟道 Si MOSFET STD12NF06LT4, 12 A, Vds=60 V, 3引脚 DPAK封装

制造商零件编号:
STD12NF06LT4
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
920-8755
搜索
无图
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
STD12NF06LT
制造商型号: STD12NF06LT
制造商: STMicroelectronics
描述: MOSFET,N沟道,60V,12A,UltraFETII,DPAK
技术参考: Rohs PDF查询
库存状态: 实时库存查询  原厂原装货
备注: 代理销售世界各大品牌电子元器件,大量全新原装正品现货
订购热线:销售世界各大品牌电子元器件,大量原厂原装正品现货800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大,部分产品信息可能未能及时更新,下单前请与销售人员确认好实时在库数量,谢谢合作!
产品信息
典型关断延迟时间20 ns
典型接通延迟时间10 ns
典型栅极电荷@Vgs7.5 nC V @ 5
典型输入电容值@Vds350 pF V @ 25
安装类型表面贴装
宽度6.2mm
封装类型DPAK
尺寸6.6 x 6.2 x 2.4mm
引脚数目3
最低工作温度-55 °C
最大功率耗散30000 mW
最大栅源电压±16 V
最大漏源电压60 V
最大漏源电阻值0.1 Ω
最大连续漏极电流12 A
最高工作温度+175 °C
每片芯片元件数目1
类别功率 MOSFET
通道模式增强
通道类型N
配置
长度6.6mm
高度2.4mm

旗下站点www.szcwdz.com相关详细信息: STD12NF06LT
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