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STMICROELECTRONICS - STD12NF06L - 场效应管 MOSFET N 逻辑电平 D-PAK - STD12NF06L
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STD12NF06L-1
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MOSFET N-CH 60V 12A IPAK

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MOSFET N-CH 60V 12A DPAK

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MOSFET N-CH 60V 12A DPAK

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MOSFET N-CH 60V 12A DPAK

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STD12NF06L-1
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MOSFET N-Ch 60 Volt 12 Amp

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MOSFET N-Ch 60 Volt 12 Amp

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STD12NF06LT4
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Trans MOSFET N-CH 60V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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STD12NF06L-1
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Trans MOSFET N-CH 60V 12A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube

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STD12NF06LT4
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Trans MOSFET N-CH 60V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R (Alt: STD12NF06LT4)

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Trans MOSFET N-CH 60V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R (Alt: STD12NF06LT4)

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Trans MOSFET N-CH 60V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R - Tape and Reel (Alt: STD12NF06LT4)

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STD12NF06L-1
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Trans MOSFET N-CH 60V 12A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube - Rail/Tube (Alt: STD12NF06L-1)

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STD12NF06L-1
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Trans MOSFET N-CH 60V 12A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube (Alt: STD12NF06L-1)

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STD12NF06L-1
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Trans MOSFET N-CH 60V 12A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube (Alt: STD12NF06L-1)

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Trans MOSFET N-CH 60V 12A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube

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STD12NF06L-1
[更多]		 STMicroelectronics

Trans MOSFET N-CH 60V 12A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube

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STD12NF06L
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MOSFET, N, LOGIC, D-PAK

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STD12NF06L-1
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MOSFET, N-CH, 60V, 12A, TO-252-3

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STD12NF06LT4
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MOSFET, N, D-PAK

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STD12NF06LT4
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MOSFET Operating temperature: -55...+175 °C Drive: logic level Housing type: DPAK Polarity: N Power dissipation: 30 W

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STD12NF06LT4
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MOSFET Transistor, N-Channel, TO-252AA

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STD12NF06L STMICROELECTRONICS 场效应管 MOSFET N 逻辑电平 D-PAK 查看库存、价格及货期
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STD12NF06L|STMICROELECTRONICSSTD12NF06L
STMICROELECTRONICS		场效应管 MOSFET N 逻辑电平 D-PAK
Rohs

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STD12NF06L-1|STMicroelectronicsSTD12NF06L-1
STMicroelectronics		MOSFET N-CH 60V 12A IPAK
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无图STD12NF06LT
STMicroelectronics		MOSFET，N沟道，60V，12A，UltraFETII，DPAK
Rohs

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STD12NF06LT4|STMICROELECTRONICSSTD12NF06LT4
STMICROELECTRONICS		场效应管 MOSFET N 每卷2500
Rohs

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参考图片 型号/品牌 描述 / 技术参考 操作
STD12NF06L|STMICROELECTRONICSSTD12NF06L
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STD12NF06L-1|STMicroelectronicsSTD12NF06L-1
STMicroelectronics		MOSFET N-CH 60V 12A IPAK
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无图STD12NF06LT
STMicroelectronics		MOSFET，N沟道，60V，12A，UltraFETII，DPAK
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STD12NF06LT4|STMICROELECTRONICSSTD12NF06LT4
STMICROELECTRONICS		场效应管 MOSFET N 每卷2500
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参考图片 型号/品牌 描述 / 技术参考 操作
STD12NF06L-1|STMicroelectronicsSTD12NF06L-1
STMicroelectronics		MOSFET N-CH 60V 12A IPAK
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STD12NF06LT4|STMicroelectronicsSTD12NF06LT4
STMicroelectronics		MOSFET N-CH 60V 12A DPAK
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参考图片 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名 PDF 操作

STMicroelectronics - STD12NF06LT4 - MOSFET N-CH 60V 12A DPAK		STMicroelectronics
MOSFET N-CH 60V 12A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 12A（Tc） 42.8W（Tc） D-Pak

型号：STD12NF06LT4
仓库库存编号：497-2487-1-ND
别名：497-2487-1 <br>

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STMicroelectronics - STD12NF06L-1 - MOSFET N-CH 60V 12A IPAK		STMicroelectronics
MOSFET N-CH 60V 12A IPAK
详细描述：通孔 N 沟道 12A（Tc） 42.8W（Tc） I-Pak

型号：STD12NF06L-1
仓库库存编号：497-6730-5-ND
别名：497-6730-5 <br>STD12NF06L-1-ND <br>STD12NF06L1 <br>

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制造商产品编号 仓库库存编号 制造商 / 说明 / 规格书 操作
STD12NF06L
STMICROELECTRONICS STD12NF06L		9946373

STMICROELECTRONICS

晶体管, MOSFET, N沟道, 12 A, 60 V, 80 mohm, 10 V, 2 V

 (EN)		搜索
STD12NF06L-1
STMICROELECTRONICS STD12NF06L-1		2629746

STMICROELECTRONICS

晶体管, MOSFET, N沟道, 12 A, 60 V, 0.06 ohm, 10 V, 2 V

 (EN)		搜索
STD12NF06LT4
STMICROELECTRONICS STD12NF06LT4		1175684

STMICROELECTRONICS

晶体管, MOSFET, N沟道, 12 A, 60 V, 80 mohm, 10 V, 3 V

 (EN)		搜索
  日本5号仓库    查看更多相关产品
参考图片 制造商 / 说明 / 型号 / 仓库库存编号 PDF 操作

ST - STD12NF06LT4 - MOSFET N, 60 V 12 A 30 W DPAK, STD12NF06LT4, ST		ST
MOSFET N, 60 V 12 A 30 W DPAK, STD12NF06LT4, ST

型号：STD12NF06LT4
仓库库存编号：300-18-812

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STD12NF06L|STMICROELECTRONICS
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
STD12NF06L
制造商型号： STD12NF06L
制造商： STMICROELECTRONICS
描述： 场效应管 MOSFET N 逻辑电平 D-PAK
技术参考： Rohs PDF查询
库存状态： 实时库存查询  原厂原装货
备注： 代理销售世界各大品牌电子元器件，大量原厂原装正品现货
订购热线：销售世界各大品牌电子元器件，大量原厂原装正品现货800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大，部分产品信息可能未能及时更新，下单前请与销售人员确认好实时在库数量，谢谢合作！
产品信息
  • 场效应管 MOSFET N 逻辑电平 D-PAK
  • 晶体管极性: N沟道
  • 电流, Id 连续: 12A
  • 漏源电压, Vds: 60V
  • 在电阻RDS（上）: 80mohm
  • 电压 @ Rds测量: 10V
  • 阈值电压, Vgs th 典型值: 2V
  • 功耗, Pd: 30W
  • 工作温度最小值: -55°C
  • 工作温???最高值: 175°C
  • 封装类型: TO-252
  • 针脚数: 3
  • SVHC(高度关注物质): No SVHC (19-Dec-2012)
  • SMD标号: STD12NF06L
  • 功耗, Pd: 30W
  • 功耗, Pd: 30W
  • 封装/箱盒: DPAK
  • 封装类型, 其它: D-PAK
  • 工作温度范围: -55°C 至 +175°C
  • 漏极电流, Id 最大值: 12A
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量: 10V
  • 电压, Vds 典型值: 60V
  • 电压, Vgs 最高: 16V
  • 电流, Idm 脉冲: 48A
  • 阈值电压, Vgs th 最高: 2V
产地： SG Singapore

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