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 | STMicroelectronics MOSFET N-CH 60V 12A IPAK 详细描述：通孔 N 沟道 60V 12A（Tc） 30W（Tc） I-Pak 型号：STD12NF06-1 仓库库存编号：STD12NF06-1-ND | | 搜索 |
PDF查询| 数据列表 | STD12NF06(T4) |
|---|---|
| 产品相片 | DPAK_369D?01 |
| 标准包装 | 75 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | FET - 单 |
| 系列 | STripFET™ |
| 包装 | 管件 |
| FET 类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 功能 | 标准 |
| 漏源极电压 (Vdss) | 60V |
| 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时） | 12A （Tc） |
| 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值） | 100 毫欧 @ 6A，10V |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 12nC @ 10V |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 315pF @ 25V |
| 功率 - 最大值 | 30W |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-251-3 长引线，IPak，TO-251AB |
| 供应商器件封装 | I-Pak |
