| 型号 | 制造商 | 描述 | 实时库存 | 起订量 | 实时单价 (含税) | 货期 (工作日) | 操作 |
| STB16N65M5 库存编号:497-11235-2-ND | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 650V 12A D2PAK | 0 1000起订 | 1000+ 2000+ | ￥21.21 ￥21.03 | 6-10天 | 询价 查看资料 |
| STB16N65M5 库存编号:497-11235-1-ND | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 650V 12A D2PAK | 0 1起订 | 1+ | ￥58.68 | 6-10天 | 询价 查看资料 |
| STB16N65M5 库存编号:497-11235-6-ND | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 650V 12A D2PAK | 0 1起订 | 1+ | ￥58.68 | 6-10天 | 询价 查看资料 |
| 型号 | 制造商 | 描述 | 实时库存 | 起订量 | 实时单价 (含税) | 货期 (工作日) | 操作 |
| STB16N65M5 | SGS Thomson | POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 12A I(D), 650V, 0.279OHM, 1-ELEMENT, N-CHANNEL, SILICON, METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR FET, TO-263AB | 283 1起订 | 1+ 23+ 81+ | ￥85.41 ￥56.94 ￥52.67 | 1-3周 | 购买 |
| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| STB16N65M5 [更多] | STMicroelectronics | MOSFET N-Ch MDMesh M5 650V 0.270 Ohm 12A D2PAK RoHS: Compliant | 搜索 |
| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| STB16N65M5 [更多] | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH Si 650V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
| 搜索 |
| STB16N65M5 [更多] | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH Si 650V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
| 搜索 |
| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| STB16N65M5 [更多] | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH Si 650V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R RoHS: Compliant | 搜索 |
| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| STB16N65M5 [更多] | STMicroelectronics |
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 库存 | 起订量 | 单价 (含税) | 货期 (工作日) | 操作 |
| STB16N65M5 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 650V 12A D2PAK | 查看库存、价格及货期 | ||||
| 参考图片 | 型号/品牌 | 描述 / 技术参考 | 操作 |
 | STB16N65M5 STMicroelectronics | MOSFET N-CH 650V 12A D2PAK  | 查价格库存 查看详细 |
| 参考图片 | 型号/品牌 | 描述 / 技术参考 | 操作 |
 | STB16N65M5 STMicroelectronics | MOSFET N-CH 650V 12A D2PAK | 查价格库存 查看详细 |
| 参考图片 | 型号/品牌 | 描述 / 技术参考 | 操作 |
| STB16N65M5 STMicroelectronics | MOSFET N-CH 650V 12A D2PAK | 查价格库存 查看详细 |
| 产品描述 / 参考图片 | 制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号 | 操作 | ||
| 制造商零件编号： STB16N65M5 品牌： STMicroelectronics 库存编号： 761-0657 | 搜索 |
| 参考图片 | 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名 | 操作 | |
 | STMicroelectronics MOSFET N-CH 650V 12A D2PAK 详细描述：表面贴装 N 沟道 12A（Tc） 90W（Tc） D2PAK 型号：STB16N65M5 仓库库存编号：497-11235-1-ND 别名：497-11235-1 <br> | 无铅 | 搜索 |
PDF查询| 数据列表 | STB16N65M5, STD16N65M5 |
|---|---|
| 产品相片 | TO-263 |
| 其它有关文件 | STB16N65M5 View All Specifications |
| 标准包装 | 1,000 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | FET - 单 |
| 系列 | MDmesh™ |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| FET 类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 功能 | 标准 |
| 漏源极电压 (Vdss) | 650V |
| 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时） | 12A （Tc） |
| 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值） | 299 毫欧 @ 6A，10V |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） | 5V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 31nC @ 10V |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 1250pF @ 100V |
| 功率 - 最大值 | 90W |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商器件封装 | D²PAK |
| 其它名称 | 497-11235-2 |
