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STMicroelectronics - STB16NF06LT - MOSFET,N沟道,60V,16A,D2PAK - STB16NF06LT
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STB16NF06LT4
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STMicroelectronics

MOSFET N-CH 60V 16A D2PAK

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STB16NF06LT4
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MOSFET N-CH 60V 16A D2PAK

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STB16NF06LT4
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MOSFET N-CH 60V 16A D2PAK

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STMicroelectronics

MOSFET N-Ch 60 Volt 16 Amp

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STB16NF06LT4
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STMicroelectronics

Trans MOSFET N-CH 60V 16A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R - Tape and Reel (Alt: STB16NF06LT4)

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Trans MOSFET N-CH 60V 16A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R (Alt: STB16NF06LT4)

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STB16NF06LT4
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STMicroelectronics

MOSFET, N CH, 60V, 16A, D2PAK

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STB16NF06LT4
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STMicroelectronics

MOSFET, N CH, 60V, 16A, D2PAK

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STB16NF06LT4
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STMicroelectronics

MOSFET, N CH, 60V, 0R07, 16A, TO-263-3

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型号 制造商 描述 操作
STB16NF06LT4
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STMicroelectronics

N-Channel 60 V 0.09 Ohm Surface Mount STripFET Power MosFet - D2PAK

RoHS: Compliant | pbFree: Yes

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无图STB16NF06LT
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MOSFET,N沟道,60V,16A,D2PAK
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STB16NF06LT4|STMicroelectronicsSTB16NF06LT4
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 60V 16A D2PAK
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STMicroelectronics - STB16NF06LT4 - STMicroelectronics STripFET 系列 N沟道 Si MOSFET STB16NF06LT4, 16 A, Vds=60 V, 3引脚 D2PAK封装

制造商零件编号:
STB16NF06LT4
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
761-0651
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无图STB16NF06LT
STMicroelectronics
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STMicroelectronics - STB16NF06LT4 - MOSFET N-CH 60V 16A D2PAK
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 60V 16A D2PAK

详细描述:表面贴装 N 沟道 16A(Tc) 45W(Tc) D2PAK

型号:STB16NF06LT4
仓库库存编号:497-4322-1-ND
别名:497-4322-1 <br>

无铅
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制造商产品编号 仓库库存编号 制造商 / 说明 / 规格书 操作
STB16NF06LT4
STMICROELECTRONICS STB16NF06LT4
1751983

STMICROELECTRONICS

晶体管, MOSFET, N沟道, 16 A, 60 V, 0.07 ohm, 10 V, 1 V

(EN)
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STB16NF06LT4
STMICROELECTRONICS STB16NF06LT4
2354520

STMICROELECTRONICS

晶体管, MOSFET, N沟道, 16 A, 60 V, 0.07 ohm, 10 V, 4 V

(EN)
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STB16NF06LT4
STMICROELECTRONICS STB16NF06LT4
1751983RL

STMICROELECTRONICS

晶体管, MOSFET, N沟道, 16 A, 60 V, 0.07 ohm, 10 V, 1 V

(EN)
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无图
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
STB16NF06LT
制造商型号: STB16NF06LT
制造商: STMicroelectronics
描述: MOSFET,N沟道,60V,16A,D2PAK
技术参考: Rohs PDF查询
库存状态: 实时库存查询  原厂原装货
备注: 代理销售世界各大品牌电子元器件,大量原厂原装正品现货
订购热线:销售世界各大品牌电子元器件,大量原厂原装正品现货800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大,部分产品信息可能未能及时更新,下单前请与销售人员确认好实时在库数量,谢谢合作!
产品信息
典型关断延迟时间20 ns
典型接通延迟时间10 ns
典型栅极电荷@Vgs7.3 nC @ 4.5 V
典型输入电容值@Vds345 pF @ 25 V
安装类型表面贴装
宽度10.4mm
封装类型D2PAK
尺寸10.75 x 10.4 x 4.6mm
引脚数目3
最低工作温度-55 °C
最大功率耗散45 W
最大栅源电压±16 V
最大漏源电压60 V
最大漏源电阻值Ω0.1
最大连续漏极电流16 A
最高工作温度+175 °C
每片芯片元件数目1
类别功率 MOSFET
通道模式增强
通道类型N
长度10.75mm
高度4.6mm

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