型号 | 制造商 | 描述 | 实时库存 | 起订量 | 实时单价 (含税) | 货期 (工作日) | 操作 |
STB16N65M5 库存编号:497-11235-6-ND | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 650V 12A D2PAK | 0 1起订 | 1+ | ¥58.68 | 需咨询 | 询价 查看资料 |
STB16N65M5 库存编号:497-11235-1-ND | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 650V 12A D2PAK | 0 1起订 | 1+ | ¥58.68 | 需咨询 | 询价 查看资料 |
STB16N65M5 库存编号:497-11235-2-ND | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 650V 12A D2PAK | 0 1000起订 | 1000+ 2000+ | ¥21.21 ¥21.03 | 需咨询 | 询价 查看资料 |
型号 | 制造商 | 描述 | 实时库存 | 起订量 | 实时单价 (含税) | 货期 (工作日) | 操作 |
STB16N65M5 | SGS Thomson | POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 12A I(D), 650V, 0.279OHM, 1-ELEMENT, N-CHANNEL, SILICON, METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR FET, TO-263AB | 283 1起订 | 1+ 22+ 77+ | ¥89.68 ¥59.79 ¥55.3 | 1-3周 | 购买 |
型号 | 制造商 | 描述 | 库存 | 起订量 | 单价 (含税) | 货期 (工作日) | 操作 |
STB16N65M | STMicroelectronics | MOSFET,N沟道,650V,12A,D2PAK | 查看库存、价格及货期 |
参考图片 | 型号/品牌 | 描述 / 技术参考 | 操作 |
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![]() | STMicroelectronics MOSFET N-CH 650V 12A D2PAK 详细描述:表面贴装 N 沟道 12A(Tc) 90W(Tc) D2PAK 型号:STB16N65M5 仓库库存编号:497-11235-1-ND 别名:497-11235-1 <br> | 无铅 | 搜索 |
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| 制造商零件编号: STB16N65M5 品牌: STMicroelectronics 库存编号: 761-0657 | 搜索 |
典型栅极电荷@Vgs | 31 nC @ 10 V | |
典型输入电容值@Vds | 1250 pF @ 100 V | |
安装类型 | 表面贴装 | |
宽度 | 10.4mm | |
封装类型 | TO-263 | |
尺寸 | 10.75 x 10.4 x 4.6mm | |
引脚数目 | 4 | |
最大功率耗散 | 90 W | |
最大栅源电压 | ±25 V | |
最大漏源电压 | 650 V | |
最大漏源电阻值 | 0.279 Ω | |
最大连续漏极电流 | 12 A | |
最高工作温度 | +150 °C | |
每片芯片元件数目 | 1 | |
类别 | 功率 MOSFET | |
通道模式 | 增强 | |
通道类型 | N | |
配置 | 双漏极 | |
长度 | 10.75mm | |
高度 | 4.6mm |