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STMicroelectronics - STB16N65M - MOSFET,N沟道,650V,12A,D2PAK - STB16N65M
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STB16N65M5
库存编号:497-11235-6-ND
STMicroelectronics MOSFET N-CH 650V 12A D2PAK0
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STB16N65M5
库存编号:497-11235-1-ND
STMicroelectronics MOSFET N-CH 650V 12A D2PAK0
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STB16N65M5
库存编号:497-11235-2-ND
STMicroelectronics MOSFET N-CH 650V 12A D2PAK0
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STB16N65M5 SGS Thomson POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 12A I(D), 650V, 0.279OHM, 1-ELEMENT, N-CHANNEL, SILICON, METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR FET, TO-263AB283
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STMicroelectronics
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STB16N65M5|STMicroelectronicsSTB16N65M5
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V 12A D2PAK
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STMicroelectronics - STB16N65M5 - MOSFET N-CH 650V 12A D2PAK
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V 12A D2PAK

详细描述:表面贴装 N 沟道 12A(Tc) 90W(Tc) D2PAK

型号:STB16N65M5
仓库库存编号:497-11235-1-ND
别名:497-11235-1 <br>
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STMicroelectronics - STB16N65M5 - STMicroelectronics MDmesh M5 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 STB16N65M5, 12 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-263封装

制造商零件编号:
STB16N65M5
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
761-0657
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声明:图片仅供参考,请以实物为准!
STB16N65M
制造商型号: STB16N65M
制造商: STMicroelectronics
描述: MOSFET,N沟道,650V,12A,D2PAK
技术参考: Rohs PDF查询
库存状态: 实时库存查询  所在地:深圳原厂原装现货
备注: 代理销售世界各大品牌电子元器件,大量全新原装正品现货
订购热线: 400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大,部分产品信息可能未能及时更新,下单前请与销售人员确认好实时在库数量,谢谢合作!
产品信息
典型栅极电荷@Vgs31 nC @ 10 V
典型输入电容值@Vds1250 pF @ 100 V
安装类型表面贴装
宽度10.4mm
封装类型TO-263
尺寸10.75 x 10.4 x 4.6mm
引脚数目4
最大功率耗散90 W
最大栅源电压±25 V
最大漏源电压650 V
最大漏源电阻值0.279 Ω
最大连续漏极电流12 A
最高工作温度+150 °C
每片芯片元件数目1
类别功率 MOSFET
通道模式增强
通道类型N
配置双漏极
长度10.75mm
高度4.6mm

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