型号 | 制造商 | 描述 | 实时库存 | 起订量 | 实时单价 (含税) | 货期 (工作日) | 操作 |
IRLR4343 库存编号:IRLR4343-ND | Infineon Technologies AG | MOSFET N-CH 55V 26A DPAK | 0 75起订 | 75+ | ¥15.64 | 6-10天 | 询价 查看资料 |
IRLR4343TR 库存编号:IRLR4343TR-ND | Infineon Technologies AG | MOSFET N-CH 55V 26A DPAK | 0 2000起订 | 2000+ 4000+ | ¥10.34 ¥9.94 | 6-10天 | 询价 查看资料 |
IRLR4343TRL 库存编号:448-IRLR4343TRLCT-ND | Infineon Technologies AG | MOSFET N-CH 55V 26A DPAK | 0 2000起订 | 6-10天 | 询价 查看资料 | ||
IRLR4343TRL 库存编号:448-IRLR4343TRLTR-ND | Infineon Technologies AG | MOSFET N-CH 55V 26A DPAK | 0 2000起订 | 6-10天 | 询价 查看资料 | ||
IRLR4343TRR 库存编号:IRLR4343TRR-ND | Infineon Technologies AG | MOSFET N-CH 55V 26A DPAK | 0 3000起订 | 3000+ | ¥9.94 | 6-10天 | 询价 查看资料 |
IRLR4343PBF 库存编号:IRLR4343PBF-ND | Infineon Technologies AG | MOSFET N-CH 55V 26A DPAK | 0 3000起订 | 6-10天 | 询价 查看资料 | ||
IRLR4343TRPBF 库存编号:IRLR4343TRPBF-ND | Infineon Technologies AG | MOSFET N-CH 55V 26A DPAK | 0 3000起订 | 6-10天 | 询价 查看资料 | ||
IRLR4343TRRPBF 库存编号:IRLR4343TRRPBF-ND | Infineon Technologies AG | MOSFET N-CH 55V 26A DPAK | 0 3000起订 | 6-10天 | 询价 查看资料 | ||
IRLR4343-701PBF 库存编号:IRLR4343-701PBF-ND | Infineon Technologies AG | MOSFET N-CH 55V 26A IPAK | 0 600起订 | 600+ | ¥8.4 | 6-10天 | 询价 查看资料 |
型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
IRLR4343PBF [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 50mOhms 28nC RoHS: Compliant | 搜索 |
型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
IRLR4343PBF [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET, Power, N-Ch, VDSS 55V, RDS(ON) 42 Milliohms, ID 26A, D-Pak (TO-252AA), PD 79W RoHS: Compliant | 搜索 查看资料 |
型号 | 制造商 | 描述 | 库存 | 起订量 | 单价 (含税) | 货期 (工作日) | 操作 |
IRLR4343 | International Rectifier | MOSFET N-CH 55V 26A DPAK | 查看库存、价格及货期 |
参考图片 | 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名 | 操作 | |
![]() | Infineon Technologies MOSFET N-CH 55V 26A DPAK 详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 26A(Tc) 79W(Tc) D-Pak 型号:IRLR4343TRL 仓库库存编号:IRLR4343CTL-ND 别名:*IRLR4343TRL <br>IRLR4343CTL <br> | 含铅 | 搜索 |
![]() | Infineon Technologies MOSFET N-CH 55V 26A DPAK 详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 26A(Tc) 79W(Tc) D-Pak 型号:IRLR4343PBF 仓库库存编号:IRLR4343PBF-ND 别名:*IRLR4343PBF <br>SP001558486 <br> | 无铅 | 搜索 |
参考图片 | 型号/品牌 | 描述 / 技术参考 | 操作 |
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![]() | IRLR4343PB International Rectifier | MOSFET,N沟道,55V,26A,DPAK![]() 暂无PDF | 查价格库存 查看详细 |
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![]() | International Rectifier MOSFET, Power; N-Ch; VDSS 55V; RDS(ON) 42 Milliohms; ID 26A; D-Pak (TO-252AA); PD 79W 型号:IRLR4343PBF 仓库库存编号:70017113 | ![]() | 搜索 |
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数据列表 | IRLR4343, IRLU4343/-701 |
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产品相片 | TO-263 |
设计资源 | IRLR4343TRL Saber Model IRLR4343TRL Spice Model |
标准包装 | 75 |
类别 | 分立半导体产品 |
家庭 | FET - 单 |
系列 | HEXFET® |
包装 | 管件 |
FET 类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
FET 功能 | 逻辑电平门 |
漏源极电压 (Vdss) | 55V |
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时) | 26A (Tc) |
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值) | 50 毫欧 @ 4.7A,10V |
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 1V @ 250µA |
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 42nC @ 10V |
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 740pF @ 50V |
功率 - 最大值 | 79W |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 |
供应商器件封装 | D-Pak |
其它名称 | *IRLR4343 |