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| IRLR3915TRPBF [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET N-CH 55V 30A DPAK RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 查看资料 |
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| IRLR3915TRPBF [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET MOSFT 55V 61A 14mOhm 61nC Log Lvl RoHS: Compliant | 搜索 |
| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| IRLR3915TRPBF [更多] | Infineon Technologies AG | Trans MOSFET N-CH Si 55V 61A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R RoHS: Compliant | 搜索 |
| IRLR3915TRPBF [更多] | Infineon Technologies AG | Trans MOSFET N-CH Si 55V 61A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R RoHS: Compliant | pbFree: No | 搜索 |
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| IRLR3915TRPBF [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET, 55V, 61A, 14 MOHM, 61 NC QG, LOGIC LEVEL, D-PAK (Alt: IRLR3915TRPBF) RoHS: Compliant | 搜索 |
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| IRLR3915TRPBF [更多] | Infineon Technologies AG | Trans MOSFET N-CH Si 55V 61A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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| IRLR3915TRPBF [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET, N-CH, 55V, 30A, TO-252AA-3
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| IRLR3915TRPBF [更多] | Infineon Technologies AG | Single N-Channel 55 V 17 mOhm 92 nC HEXFET? Power Mosfet - TO-252AA RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 |
| IRLR3915TRPBF [更多] | Infineon Technologies AG | Single N-Channel 55 V 17 mOhm 92 nC HEXFET? Power Mosfet - TO-252AA RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 |
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| IRLR3915TRPBF [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET, Power, N-Ch, VDSS 55V, RDS(ON) 12 Milliohms, ID 61A, D-Pak (TO-252AA), PD 120W RoHS: Compliant | 搜索 查看资料 |
| 型号 | 制造商 | 描述 | 库存 | 起订量 | 单价 (含税) | 货期 (工作日) | 操作 |
| IRLR3915TRPBF | International Rectifier | MOSFET N-CH 55V 30A DPAK | 查看库存、价格及货期 | ||||
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 | IRLR3915TRPBF International Rectifier | MOSFET N-CH 55V 30A DPAK  | 查价格库存 查看详细 |
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| 制造商产品编号 | 仓库库存编号 | 制造商 / 说明 / 规格书 | 操作 |
IRLR3915TRPBF | 2687601 | INFINEON 晶体管, MOSFET, N沟道, 30 A, 55 V, 0.012 ohm, 10 V, 3 V (EN) | 搜索 |
| 参考图片 | 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名 | 操作 | |
 | Infineon Technologies MOSFET N-CH 55V 30A DPAK 详细描述：表面贴装 N 沟道 30A（Tc） 120W（Tc） D-Pak 型号：IRLR3915TRPBF 仓库库存编号：IRLR3915TRPBFCT-ND 别名：IRLR3915TRPBFCT <br> | | 搜索 |
PDF查询| 数据列表 | IRLR3915PbF, IRLU3915PbF |
|---|---|
| 产品相片 | TO-263 |
| 产品培训模块 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) |
| 标准包装 | 2,000 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | FET - 单 |
| 系列 | HEXFET® |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| FET 类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 功能 | 逻辑电平门 |
| 漏源极电压 (Vdss) | 55V |
| 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时） | 30A （Tc） |
| 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值） | 14 毫欧 @ 30A，10V |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 92nC @ 10V |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 1870pF @ 25V |
| 功率 - 最大值 | 120W |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商器件封装 | D-Pak |
| 其它名称 | IRLR3915TRPBF-ND IRLR3915TRPBFTR |
