| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| IRLR4343PBF [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 50mOhms 28nC RoHS: Compliant | 搜索 |
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| IRLR4343PBF [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET, Power, N-Ch, VDSS 55V, RDS(ON) 42 Milliohms, ID 26A, D-Pak (TO-252AA), PD 79W RoHS: Compliant | 搜索 查看资料 |
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| IRLR4343PBF | International Rectifier | MOSFET N-CH 55V 26A DPAK | 查看库存、价格及货期 | ||||
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 | IRLR4343PBF International Rectifier | MOSFET N-CH 55V 26A DPAK  | 查价格库存 查看详细 |
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 | Infineon Technologies MOSFET N-CH 55V 26A DPAK 详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 26A（Tc） 79W（Tc） D-Pak 型号：IRLR4343PBF 仓库库存编号：IRLR4343PBF-ND 别名：*IRLR4343PBF <br>SP001558486 <br> | | 搜索 |
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 | International Rectifier MOSFET, Power; N-Ch; VDSS 55V; RDS(ON) 42 Milliohms; ID 26A; D-Pak (TO-252AA); PD 79W 型号：IRLR4343PBF 仓库库存编号：70017113 |  | 搜索 |
PDF查询| 数据列表 | IRL(R,U)4343(-701)PbF |
|---|---|
| 产品相片 | TO-263 |
| 设计资源 | IRLR4343TRL Saber Model IRLR4343TRL Spice Model |
| 标准包装 | 75 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | FET - 单 |
| 系列 | HEXFET® |
| 包装 | 管件 |
| FET 类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 功能 | 逻辑电平门 |
| 漏源极电压 (Vdss) | 55V |
| 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时） | 26A （Tc） |
| 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值） | 50 毫欧 @ 4.7A，10V |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） | 1V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 42nC @ 10V |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 740pF @ 50V |
| 功率 - 最大值 | 79W |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商器件封装 | D-Pak |
| 其它名称 | *IRLR4343PBF |
