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| IRF640NSPBF [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET N-CH 200V 18A D2PAK RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 查看资料 |
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| IRF640NSPBF [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET 200V 24A 0.15 Ohm 25nC Qg 18A ID RoHS: Compliant | 搜索 |
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| IRF640NSPBF [更多] | Infineon Technologies AG | Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube RoHS: Compliant | 搜索 |
| IRF640NSPBF [更多] | Infineon Technologies AG | Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube RoHS: Compliant | 搜索 |
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| IRF640NSPBF [更多] | Infineon Technologies AG | Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK - Rail/Tube (Alt: IRF640NSPBF) RoHS: Compliant | 搜索 |
| IRF640NSPBF [更多] | Infineon Technologies AG | Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK (Alt: IRF640NSPBF) RoHS: Compliant | 搜索 |
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| IRF640NSPBF [更多] | Infineon Technologies AG | Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
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| IRF640NSPBF [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET, N, 200V, 18A, D2-PAK
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| IRF640NSPBF [更多] | Infineon Technologies AG | Single N-Channel 200 V 0.15 Ohm 67 nC HEXFET? Power Mosfet - D2PAK RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 |
| IRF640NSPBF [更多] | Infineon Technologies AG | Single N-Channel 200 V 0.15 Ohm 67 nC HEXFET? Power Mosfet - D2PAK RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 |
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| IRF640NSPBF [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET, Power, N-Ch, VDSS 200V, RDS(ON) 0.15Ohm, ID 18A, D2Pak, PD 150W, VGS +/-20V, -55 RoHS: Compliant | 搜索 查看资料 |
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| IRF640NSPBF [更多] | International Rectifier |
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| IRF640NSPBF [更多] | Infineon Technologies AG | Transistor: N-MOSFET, unipolar, 200V, 18A, 150W, D2PAK, HEXFET?
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| IRF640NSPBF [更多] | International Rectifier | MOSFET Transistor, N-Channel, TO-263AB
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| IRF640NSPB | International Rectifier | MOSFET，N沟道，200V，18A，D2PAK | 查看库存、价格及货期 | ||||
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 | IRF640NSPB International Rectifier | MOSFET，N沟道，200V，18A，D2PAK 暂无PDF | 查价格库存 查看详细 |
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| 制造商零件编号： IRF640NSPBF 品牌： Infineon 库存编号： 542-9298 | 搜索 | ||
| 制造商零件编号： IRF640NSPBF 品牌： Infineon 库存编号： 919-5006 | 搜索 |
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 | IR MOSFET N, 200 V 18 A 150 W D2PAK, IRF640NSPBF, IR 型号：IRF640NSPBF 仓库库存编号：171-15-090 | | 搜索 |
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 | IRF640NSPBF International Rectifier | MOSFET N-CH 200V 18A D2PAK | 查价格库存 查看详细 |
PDF查询| 典型关断延迟时间 | 23 ns | |
| 典型接通延迟时间 | 10 ns | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 67 nC V @ 10 | |
| 典型输入电容值@Vds | 1160 pF V @ 25 | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 宽度 | 9.65mm | |
| 封装类型 | D2PAK | |
| 尺寸 | 10.67 x 9.65 x 4.83mm | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 最大功率耗散 | 150 W | |
| 最大栅源电压 | ±20 V | |
| 最大漏源电压 | 200 V | |
| 最大漏源电阻值 | 0.15 Ω | |
| 最大连续漏极电流 | 18 A | |
| 最高工作温度 | +175 °C | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 通道类型 | N | |
| 配置 | 单 | |
| 长度 | 10.67mm | |
| 高度 | 4.83mm |
