| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| IRF640NPBF [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET N-CH 200V 18A TO-220AB RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 查看资料 |
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| IRF640NPBF [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET MOSFT 200V 18A 150mOhm 44.7nC RoHS: Compliant | 搜索 |
| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| IRF640NPBF [更多] | Infineon Technologies AG | Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 |
| IRF640NPBF [更多] | Infineon Technologies AG | Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube RoHS: Compliant | pbFree: No | 搜索 |
| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| IRF640NPBF [更多] | Infineon Technologies AG | Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB (Alt: IRF640NPBF) RoHS: Compliant | 搜索 |
| IRF640NPBF [更多] | Infineon Technologies AG | Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB - Rail/Tube (Alt: IRF640NPBF) RoHS: Compliant | 搜索 |
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| IRF640NPBF [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET, N, 200V, 18A, TO-220
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| IRF640NPBF [更多] | Infineon Technologies AG | Single N-Channel 200 V 0.15 Ohm 67 nC HEXFET? Power Mosfet - TO-220-3 RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 |
| IRF640NPBF [更多] | Infineon Technologies AG | Single N-Channel 200 V 0.15 Ohm 67 nC HEXFET? Power Mosfet - TO-220-3 RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 |
| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| IRF640NPBF [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET, Power, N-Ch, VDSS 200V, RDS(ON) 0.15Ohm, ID 18A, TO-220AB, PD 150W, VGS +/-20V RoHS: Compliant | 搜索 查看资料 |
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| IRF640NPBF [更多] | International Rectifier | MOSFET Operating temperature: -55...+175 °C Housing type: TO-220AB Polarity: N Power dissipation: 150 W
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| IRF640NPBF [更多] | Infineon Technologies AG | Transistor: N-MOSFET, unipolar, 200V, 18A, 150W, TO220AB, HEXFET?
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| IRF640NPBF [更多] | International Rectifier | MOSFET Transistor, N-Channel, TO-220AB
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| IRF640NPB | International Rectifier | MOSFET，N沟道，200V，18A，TO220AB | 查看库存、价格及货期 | ||||
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 | IRF640NPB International Rectifier | MOSFET，N沟道，200V，18A，TO220AB 暂无PDF | 查价格库存 查看详细 |
 | IRF640NPBF International Rectifier | MOSFET N-CH 200V 18A TO-220AB | 查价格库存 查看详细 |
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| IRF640NPBF International Rectifier | MOSFET N-CH 200V 18A TO-220AB | 查价格库存 查看详细 |
| IRF640NPB International Rectifier | MOSFET，N沟道，200V，18A，TO220AB 暂无PDF | 查价格库存 查看详细 |
| 参考图片 | 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名 | 操作 | |
 | Infineon Technologies MOSFET N-CH 200V 18A TO-220AB 详细描述：通孔 N 沟道 18A（Tc） 150W（Tc） TO-220AB 型号：IRF640NPBF 仓库库存编号：IRF640NPBF-ND 别名：*IRF640NPBF <br>SP001570078 <br> | | 搜索 |
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 | International Rectifier MOSFET, Power; N-Ch; VDSS 200V; RDS(ON) 0.15Ohm; ID 18A; TO-220AB; PD 150W; VGS +/-20V 型号：IRF640NPBF 仓库库存编号：70016972 |  | 搜索 |
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 | IRF640NPBF International Rectifier | MOSFET N-CH 200V 18A TO-220AB | 查价格库存 查看详细 |
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 | IR MOSFET N, 200 V 18 A 150 W TO-220AB, IRF640NPBF, IR 型号：IRF640NPBF 仓库库存编号：171-15-082 | 搜索 |
| 产品描述 / 参考图片 | 制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号 | 操作 | ||
| 制造商零件编号： IRF640NPBF 品牌： Infineon 库存编号： 919-4817 | 搜索 | ||
| 制造商零件编号： IRF640NPBF 品牌： Infineon 库存编号： 541-0014 | 搜索 |
PDF查询| 典型关断延迟时间 | 23 ns | |
| 典型接通延迟时间 | 10 ns | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 67 nC V @ 10 | |
| 典型输入电容值@Vds | 1160 pF V @ 25 | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 封装类型 | TO-220AB | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 最大功率耗散 | 150 W | |
| 最大栅源电压 | ±20 V | |
| 最大漏源电压 | 200 V | |
| 最大漏源电阻值 | 0.15 Ω | |
| 最大连续漏极电流 | 18 A | |
| 最高工作温度 | +175 °C | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 通道类型 | N | |
| 配置 | 单 | |
| 高度 | 8.77mm |
