| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| IRF640NLPBF [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET N-CH 200V 18A TO-262 RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 查看资料 |
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| IRF640NLPBF [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET MOSFT 200V 18A 150mOhm 44.7nC RoHS: Compliant | 搜索 |
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| IRF640NLPBF [更多] | Infineon Technologies AG | Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 |
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| IRF640NLPBF [更多] | Infineon Technologies AG | Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-262 (Alt: IRF640NLPBF) RoHS: Compliant | 搜索 |
| IRF640NLPBF [更多] | Infineon Technologies AG | Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-262 - Rail/Tube (Alt: IRF640NLPBF) RoHS: Compliant | 搜索 |
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| IRF640NLPBF [更多] | Infineon Technologies AG | Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
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| IRF640NLPBF [更多] | Infineon Technologies AG | Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
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| IRF640NLPBF [更多] | Infineon Technologies AG | Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube RoHS: Compliant | 搜索 |
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| IRF640NLPBF [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET, N-CH, 200V, 18A, TO-262-3
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| IRF640NLPBF. [更多] | Infineon Technologies AG | N CHANNEL MOSFET, 200V, 18A, TO-262
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| IRF640NLPBF [更多] | Infineon Technologies AG | Single N-Channel 200 V 0.15 Ohm 67 nC HEXFET? Power Mosfet - TO-262-3 RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 |
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| IRF640NLPBF [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET, Power, N-Ch, VDSS 200V, RDS(ON) 0.15Ohm, ID 18A, TO-262, PD 150W, VGS +/-20V RoHS: Compliant | 搜索 查看资料 |
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| IRF640NLPBF [更多] | Infineon Technologies AG | Transistor: N-MOSFET, unipolar, 200V, 18A, 150W, TO262, HEXFET?
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 库存 | 起订量 | 单价 (含税) | 货期 (工作日) | 操作 |
| IRF640NLPBF | International Rectifier | MOSFET N-CH 200V 18A TO-262 | 查看库存、价格及货期 | ||||
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 | IRF640NLPBF International Rectifier | MOSFET N-CH 200V 18A TO-262  | 查价格库存 查看详细 |
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 | IRF640NLPBF International Rectifier | MOSFET N-CH 200V 18A TO-262 | 查价格库存 查看详细 |
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 | Infineon Technologies MOSFET N-CH 200V 18A TO-262 详细描述：通孔 N 沟道 18A（Tc） 150W（Tc） TO-262 型号：IRF640NLPBF 仓库库存编号：IRF640NLPBF-ND 别名：*IRF640NLPBF <br>SP001563296 <br> | | 搜索 |
| 制造商产品编号 | 仓库库存编号 | 制造商 / 说明 / 规格书 | 操作 |
IRF640NLPBF | 2576887 | INFINEON 晶体管, MOSFET, N沟道, 18 A, 200 V, 0.15 ohm, 10 V, 4 V (EN) | 搜索 |
IRF640NLPBF | 9537511 | INFINEON 场效应管, MOSFET, N沟道, 150W, TO-262 (EN) | 搜索 |
| 产品描述 / 参考图片 | 制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号 | 操作 | ||
| 制造商零件编号： IRF640NLPBF 品牌： Infineon 库存编号： 831-2859 | 搜索 |
PDF查询| 数据列表 | IRF640N(S,L)PbF |
|---|---|
| 产品相片 | TO-262-3 Long Leads |
| 产品培训模块 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) |
| 标准包装 | 50 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | FET - 单 |
| 系列 | HEXFET® |
| 包装 | 管件 |
| FET 类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 功能 | 标准 |
| 漏源极电压 (Vdss) | 200V |
| 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时） | 18A （Tc） |
| 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值） | 150 毫欧 @ 11A，10V |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 67nC @ 10V |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 1160pF @ 25V |
| 功率 - 最大值 | 150W |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA |
| 供应商器件封装 | TO-262 |
| 产品目录页面 | 1519 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称 | *IRF640NLPBF |
