PDF查询| 数据列表 | IPB(I,P)80N06S3L-08 |
|---|---|
| 产品相片 | TO-262-3 |
| 产品变化通告 | Product Discontinuation 22/Jul/2010 |
| 标准包装 | 500 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | FET - 单 |
| 系列 | OptiMOS™ |
| 包装 | 管件 |
| FET 类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 功能 | 标准 |
| 漏源极电压 (Vdss) | 55V |
| 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时） | 80A （Tc） |
| 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值） | 7.9 毫欧 @ 43A，10V |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） | 2.2V @ 55µA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 134nC @ 10V |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 6475pF @ 25V |
| 功率 - 最大值 | 105W |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA |
| 供应商器件封装 | PG-TO262-3 |
| 其它名称 | IPI80N06S3L-08-ND IPI80N06S3L-08IN IPI80N06S3L08X IPI80N06S3L08XK SP000088131 |
