PDF查询| 数据列表 | IPB/IPI/IPP80N06S3L-05 |
|---|---|
| 产品相片 | TO-262-3 |
| 产品变化通告 | Product Discontinuation 22/Jul/2010 |
| 标准包装 | 500 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | FET - 单 |
| 系列 | OptiMOS™ |
| 包装 | 管件 |
| FET 类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 功能 | 逻辑电平门 |
| 漏源极电压 (Vdss) | 55V |
| 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时） | 80A （Tc） |
| 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值） | 4.8 毫欧 @ 69A，10V |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） | 2.2V @ 115µA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 273nC @ 10V |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 13060pF @ 25V |
| 功率 - 最大值 | 165W |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA |
| 供应商器件封装 | PG-TO262-3 |
| 其它名称 | IPI80N06S3L-05-ND IPI80N06S3L-05IN IPI80N06S3L05X IPI80N06S3L05XK SP000102204 |
