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Infineon Technologies - IPI80N06S3L-06 - MOSFET N-CH 55V 80A TO-262 - IPI80N06S3L06
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IPI80N06S3L-06|Infineon Technologies
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IPI80N06S3L-06
制造商型号: IPI80N06S3L-06
制造商: Infineon Technologies
描述: MOSFET N-CH 55V 80A TO-262
技术参考: Rohs PDF查询
库存状态: 实时库存查询  所在地:深圳全新原装现货
备注: 代理销售世界各大品牌电子元器件,大量全新原装正品现货
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产品信息
数据列表 IPB(I,P)80N06S3L-06
产品相片 TO-262-3
产品变化通告 Product Discontinuation 22/Jul/2010
标准包装  500
类别分立半导体产品
家庭FET - 单
系列OptiMOS™
包装  管件  
FET 类型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)55V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时)80A (Tc)
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值)5.9 毫欧 @ 56A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)2.2V @ 80µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)196nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)9417pF @ 25V
功率 - 最大值136W
安装类型通孔
封装/外壳TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA
供应商器件封装PG-TO262-3
产品目录页面1617 (CN2011-ZH PDF)
其它名称IPI80N06S3L-06-ND
IPI80N06S3L-06IN
IPI80N06S3L06X
IPI80N06S3L06XK
SP000088002

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