PDF查询| 数据列表 | IXT(Y,A,P)1R6N100D2 |
|---|---|
| 产品相片 | TO-263 |
| 标准包装 | 70 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | FET - 单 |
| 系列 | - |
| 包装 | 管件 |
| FET 类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 功能 | 耗尽模式 |
| 漏源极电压 (Vdss) | 1000V（1kV） |
| 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时） | 1.6A （Tc） |
| 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值） | 10 欧姆 @ 800mA，0V |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） | - |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 27nC @ 5V |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 645pF @ 25V |
| 功率 - 最大值 | 100W |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商器件封装 | TO-252，（D-Pak） |
