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| IXTY1R4N60P [更多] | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 600V 1.4A D-PAK RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 查看资料 |
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| IXTY1R4N60P [更多] | IXYS Corporation | Trans MOSFET N-CH 600V 1.4A 3-Pin(2+Tab) TO-252AA RoHS: Compliant | pbFree: No | 搜索 |
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| IXTY1R4N60P [更多] | IXYS Corporation | MOSFET 1.4 Amps 600 V 8 Ohm Rds RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 |
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| IXTY1R4N60P | IXYS | MOSFET N-CH 600V 1.4A D-PAK | 查看库存、价格及货期 | ||||
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 | IXTY1R4N60P IXYS | MOSFET N-CH 600V 1.4A D-PAK  | 查价格库存 查看详细 |
 | IXTY1R4N60P IXYS SEMICONDUCTOR | 场效应管 MOSFET N D-PAK | 查价格库存 查看详细 |
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 | IXYS MOSFET N-CH 600V 1.4A D-PAK 详细描述：表面贴装 N 沟道 1.4A（Tc） 50W（Tc） TO-252，（D-Pak） 型号：IXTY1R4N60P 仓库库存编号：IXTY1R4N60P-ND | 无铅 |
PDF查询| 数据列表 | IXT(P,U,Y)1R4N60P |
|---|---|
| 产品相片 | TO-263 |
| 标准包装 | 70 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | FET - 单 |
| 系列 | PolarHV™ |
| 包装 | 管件 |
| FET 类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 功能 | 标准 |
| 漏源极电压 (Vdss) | 600V |
| 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时） | 1.4A （Tc） |
| 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值） | 9 欧姆 @ 700mA，10V |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） | 5.5V @ 25µA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 5.2nC @ 10V |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 140pF @ 25V |
| 功率 - 最大值 | 50W |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商器件封装 | TO-252，（D-Pak） |
