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IXYS SEMICONDUCTOR - IXTY1R4N60P - 场效应管 MOSFET N D-PAK - IXTY1R4N60P
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IXTY1R4N60P|IXYS SEMICONDUCTOR
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
IXTY1R4N60P
制造商型号： IXTY1R4N60P
制造商： IXYS SEMICONDUCTOR
描述： 场效应管 MOSFET N D-PAK
技术参考： Rohs PDF查询
库存状态： 实时库存查询  所在地：深圳全新原装现货
备注： 代理销售世界各大品牌电子元器件，大量全新原装正品现货
订购热线： 400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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产品信息
  • 场效应管 MOSFET N D-PAK
  • 晶体管极性: N沟道
  • 电流, Id 连续: 1A
  • 漏源电压, Vds: 600V
  • 在电阻RDS（上）: 9ohm
  • 电压 @ Rds测量: 10V
  • 阈值电压, Vgs th 典型值: 5.5V
  • 功耗, Pd: 50W
  • 封装类型: TO-252
  • 针脚数: 3
  • SVHC(高度关注物质): No SVHC (19-Dec-2012)
  • 封装/箱盒: DPAK
  • 时间, trr 最大: 500ns
  • 晶体管类型: 通用
  • 栅极电荷 Qg N沟道: 5.2nC
  • 热阻, 结点至外壳A: 2.5°C/W
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量: 10V
  • 电压, Vds 典型值: 600V
  • 电容值, Ciss 典型值: 140pF
  • 表面安装器件: SMD
产地： DE Germany

旗下站点www.szcwdz.com相关详细信息: IXTY1R4N60P
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