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International Rectifier - IRFZ44ESTRL - MOSFET N-CH 60V 48A D2PAK - IRFZ44ESTRL
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Infineon Technologies AG

MOSFET N-CH 60V 48A D2PAK

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MOSFET MOSFT 60V 48A 23mOhm 40nC

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Trans MOSFET N-CH Si 60V 48A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

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Trans MOSFET N-CH Si 60V 48A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

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Trans MOSFET N-CH 60V 48A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R - Tape and Reel (Alt: IRFZ44ESTRLPBF)

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Trans MOSFET N-CH 60V 48A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R (Alt: IRFZ44ESTRLPBF)

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Trans MOSFET N-CH Si 60V 48A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

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Trans MOSFET N-CH Si 60V 48A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

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Trans MOSFET N-CH Si 60V 48A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

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MOSFET, N-CH, 60V, 48A, TO-263

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Single N-Channel 60 V 23 mOhm 60 nC HEXFET? Power Mosfet - D2PAK

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Single N-Channel 60 V 23 mOhm 60 nC HEXFET? Power Mosfet - D2PAK

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Infineon Technologies AG

MOSFET, Power, N-Ch, VDSS 60V, RDS(ON) 0.023Ohm, ID 48A, D2Pak, PD 110W, VGS +/-20V, -55

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International Rectifier
MOSFET N-CH 60V 48A D2PAK
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MOSFET N-CH 60V 48A D2PAK
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Infineon Technologies - IRFZ44ESTRLPBF - MOSFET N-CH 60V 48A D2PAK
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 48A D2PAK

详细描述:表面贴装 N 沟道 48A(Tc) 110W(Tc) D2PAK

型号:IRFZ44ESTRLPBF
仓库库存编号:IRFZ44ESTRLPBFCT-ND
别名:IRFZ44ESTRLPBFCT <br>

无铅
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Infineon Technologies - IRFZ44ESTRL - MOSFET N-CH 60V 48A D2PAK
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 48A D2PAK

详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 48A(Tc) 110W(Tc) D2PAK

型号:IRFZ44ESTRL
仓库库存编号:IRFZ44ESTRL-ND
别名:SP001552444 <br>

含铅
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IRFZ44ESTRL|International RectifierIRFZ44ESTRL
International Rectifier
MOSFET N-CH 60V 48A D2PAK
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IRFZ44ESTRLPBF
INFINEON IRFZ44ESTRLPBF
2725995

INFINEON

晶体管, MOSFET, N沟道, 48 A, 60 V, 0.023 ohm, 10 V, 4 V

(EN)
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IRFZ44ESTRL|International Rectifier
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
IRFZ44ESTRL
制造商型号: IRFZ44ESTRL
制造商: International Rectifier
描述: MOSFET N-CH 60V 48A D2PAK
技术参考: Rohs PDF查询
库存状态: 实时库存查询  原厂原装货
备注: 代理销售世界各大品牌电子元器件,大量原厂原装正品现货
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产品信息
数据列表 IRFZ44ES/L
产品相片 TO-263
标准包装  800
类别分立半导体产品
家庭FET - 单
系列HEXFET®
包装  带卷 (TR)  
FET 类型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能标准
漏源极电压 (Vdss)60V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时)48A (Tc)
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值)23 毫欧 @ 29A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)60nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)1360pF @ 25V
功率 - 最大值110W
安装类型表面贴装
封装/外壳TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
供应商器件封装D2PAK

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