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International Rectifier - IRFZ44ESPBF - MOSFET N-CH 60V 48A D2PAK - IRFZ44ESPBF
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IRFZ44ESPBF
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Infineon Technologies AG MOSFET N-CH 60V 48A D2PAK0
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IRFZ44ESPBF International Rectifier TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,60V V(BR)DSS,48A I(D),TO-263AB,LEAD FREE62
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Infineon Technologies AG

MOSFET N-CH 60V 48A D2PAK

RoHS: Compliant | pbFree: Yes

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Infineon Technologies AG

MOSFET 60V 1 N-CH HEXFET 23mOhms 40nC

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Infineon Technologies AG

Trans MOSFET N-CH Si 60V 48A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube

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Trans MOSFET N-CH Si 60V 48A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube

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Infineon Technologies AG

MOSFET, Power, N-Ch, VDSS 60V, RDS(ON) 0.023Ohm, ID 48A, D2Pak, PD 110W, VGS +/-20V, -55

RoHS: Compliant

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Infineon - IRFZ44ESPBF - Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET 晶体管 IRFZ44ESPBF, 48 A, Vds=60 V, 3引脚 D2PAK封装

制造商零件编号:
IRFZ44ESPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
541-0519
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IRFZ44ESPBF|International Rectifier
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
IRFZ44ESPBF
制造商型号: IRFZ44ESPBF
制造商: International Rectifier
描述: MOSFET N-CH 60V 48A D2PAK
技术参考: Rohs PDF查询
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备注: 代理销售世界各大品牌电子元器件,大量原厂原装正品现货
订购热线:销售世界各大品牌电子元器件,大量原厂原装正品现货800152669, Email:sales@szcwdz.com
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产品信息
数据列表 IRFZ44ESPbF, IRFZ44ELPbF
产品相片 TO-263
产品培训模块 High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers)
标准包装  50
类别分立半导体产品
家庭FET - 单
系列HEXFET®
包装  管件  
FET 类型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能标准
漏源极电压 (Vdss)60V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时)48A (Tc)
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值)23 毫欧 @ 29A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)60nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)1360pF @ 25V
功率 - 最大值110W
安装类型表面贴装
封装/外壳TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
供应商器件封装D2PAK
其它名称*IRFZ44ESPBF

旗下站点www.szcwdz.com相关详细信息: IRFZ44ESPBF
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