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| IRFZ44ESPBF [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET N-CH 60V 48A D2PAK RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 查看资料 |
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| IRFZ44ESPBF [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET 60V 1 N-CH HEXFET 23mOhms 40nC RoHS: Compliant | 搜索 |
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| IRFZ44ESPBF [更多] | Infineon Technologies AG | Trans MOSFET N-CH Si 60V 48A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube RoHS: Compliant | 搜索 |
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| IRFZ44ESPBF [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET, Power, N-Ch, VDSS 60V, RDS(ON) 0.023Ohm, ID 48A, D2Pak, PD 110W, VGS +/-20V, -55 RoHS: Compliant | 搜索 查看资料 |
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| IRFZ44ESPBF [更多] | International Rectifier |
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 库存 | 起订量 | 单价 (含税) | 货期 (工作日) | 操作 |
| IRFZ44ESPB | International Rectifier | MOSFET，N沟道，60V，48A，D2PAK | 查看库存、价格及货期 | ||||
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 | IRFZ44ESPB International Rectifier | MOSFET，N沟道，60V，48A，D2PAK 暂无PDF | 查价格库存 查看详细 |
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PDF查询| 典型关断延迟时间 | 70 ns | |
| 典型接通延迟时间 | 12 ns | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 60 nC V @ 10 | |
| 典型输入电容值@Vds | 1360 pF V @ 25 | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 宽度 | 9.65mm | |
| 封装类型 | D2PAK | |
| 尺寸 | 10.67 x 9.65 x 4.83mm | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 最大功率耗散 | 110 W | |
| 最大栅源电压 | ±20 V | |
| 最大漏源电压 | 60 V | |
| 最大漏源电阻值 | 0.023 Ω | |
| 最大连续漏极电流 | 48 A | |
| 最高工作温度 | +175 °C | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 通道类型 | N | |
| 配置 | 单 | |
| 长度 | 10.67mm | |
| 高度 | 4.83mm |
