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IRF5851TRPBF [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET MOSFT DUAL N/PCh 20V 2.7A Micro 6 RoHS: Compliant | 搜索 |
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IRF5851TR | International Rectifier | MOSFET N+P 20V 2.7A 6-TSOP | 查看库存、价格及货期 |
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![]() | Infineon Technologies MOSFET N/P-CH 20V 6-TSOP 详细描述:Mosfet Array N and P-Channel 20V 2.7A, 2.2A 960mW Surface Mount 6-TSOP 型号:IRF5851TR 仓库库存编号:IRF5851TR-ND | 含铅 | |
![]() | Infineon Technologies MOSFET N/P-CH 20V 2.7A 6-TSOP 详细描述:Mosfet Array N and P-Channel 20V 2.7A, 2.2A 960mW Surface Mount 6-TSOP 型号:IRF5851TRPBF 仓库库存编号:IRF5851TRPBFCT-ND 别名:IRF5851TRPBFCT | 无铅 |
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数据列表 | IRF5851 |
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产品相片 | IRF5800TRPBF |
PCN Obsolescence | Gen 8 Rev2 08/Jul/2011 |
标准包装 | 3,000 |
类别 | 分立半导体产品 |
家庭 | FET - 阵列 |
系列 | HEXFET® |
包装 | 带卷 (TR) |
FET 类型 | N 和 P 沟道 |
FET 功能 | 逻辑电平门 |
漏源极电压 (Vdss) | 20V |
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时) | 2.7A,2.2A |
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值) | 90 毫欧 @ 2.7A,4.5V |
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 1.25V @ 250µA |
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 6nC @ 4.5V |
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 400pF @ 15V |
功率 - 最大值 | 960mW |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 6-TSOP(0.059",1.50mm 宽) |
供应商器件封装 | Micro6?(TSOP-6) |