型号 | 制造商 | 描述 | 库存 | 起订量 | 单价 (含税) | 货期 (工作日) | 操作 |
IRF5851PB | International Rectifier | MOSFET,双,N/P沟道,20V,2.7A/2.2A,TSOP6 | 查看库存、价格及货期 |
参考图片 | 型号/品牌 | 描述 / 技术参考 | 操作 |
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典型关断延迟时间 | 15(N 沟道)ns,31(P 沟道)ns | |
典型接通延迟时间 | 6.6(N 沟道)ns,8.3(P 沟道)ns | |
典型栅极电荷@Vgs | 3.6 nC @ 4.5 V(P 沟道),4 nC @ 4.5 V(N 沟道) | |
典型输入电容值@Vds | 320 pF @ 15 V(P 沟道),400 pF @ 15 V(N 沟道) | |
安装类型 | 表面贴装 | |
宽度 | 1.5mm | |
封装类型 | TSOP | |
尺寸 | 3 x 1.5 x 0.9mm | |
引脚数目 | 6 | |
最低工作温度 | -55 °C | |
最大功率耗散 | 0.96 W | |
最大栅源电压 | ±12 V | |
最大漏源电压 | 20 V | |
最大漏源电阻值 | 0.09(N 沟道)Ω,0.135(P 沟道)Ω | |
最大连续漏极电流 | 2.2(P 沟道)A,2.7(N 沟道)A | |
最高工作温度 | +150 °C | |
每片芯片元件数目 | 2 | |
类别 | 功率 MOSFET | |
通道模式 | 增强 | |
通道类型 | N,P | |
配置 | 双 | |
长度 | 3mm | |
高度 | 0.9mm |