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International Rectifier - IRF5851TRPB - MOSFET,双,N/P沟道,20V,2.7A/2.2A,TSOP6 - IRF5851TRPB
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IRF5851TRPBF
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Infineon Technologies AG

MOSFET MOSFT DUAL N/PCh 20V 2.7A Micro 6

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IRF5851TRPBF
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Infineon Technologies AG

MOSFET, DUAL N/P-CHANNEL, 20V, 2.7A, MICRO 6

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MOSFET,双,N/P沟道,20V,2.7A/2.2A,TSOP6
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International Rectifier
MOSFET N/P-CH 20V 2.7A 6-TSOP
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Infineon Technologies - IRF5851TRPBF - MOSFET N/P-CH 20V 2.7A 6-TSOP
Infineon Technologies
MOSFET N/P-CH 20V 2.7A 6-TSOP

详细描述:Mosfet Array N and P-Channel 20V 2.7A, 2.2A 960mW Surface Mount 6-TSOP

型号:IRF5851TRPBF
仓库库存编号:IRF5851TRPBFCT-ND
别名:IRF5851TRPBFCT
无铅
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IRF5851TRPB
制造商型号: IRF5851TRPB
制造商: International Rectifier
描述: MOSFET,双,N/P沟道,20V,2.7A/2.2A,TSOP6
技术参考: Rohs PDF查询
库存状态: 实时库存查询  原厂原装货
备注: 代理销售世界各大品牌电子元器件,大量原厂原装正品现货
订购热线:销售世界各大品牌电子元器件,大量原厂原装正品现货800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大,部分产品信息可能未能及时更新,下单前请与销售人员确认好实时在库数量,谢谢合作!
产品信息
典型关断延迟时间15(N 沟道)ns,31(P 沟道)ns
典型接通延迟时间6.6(N 沟道)ns,8.3(P 沟道)ns
典型栅极电荷@Vgs3.6 nC @ 4.5 V(P 沟道),4 nC @ 4.5 V(N 沟道)
典型输入电容值@Vds320 pF @ 15 V(P 沟道),400 pF @ 15 V(N 沟道)
安装类型表面贴装
宽度1.5mm
封装类型TSOP
尺寸3 x 1.5 x 0.9mm
引脚数目6
最低工作温度-55 °C
最大功率耗散0.96 W
最大栅源电压±12 V
最大漏源电压20 V
最大漏源电阻值0.09(N 沟道)Ω,0.135(P 沟道)Ω
最大连续漏极电流2.2(P 沟道)A,2.7(N 沟道)A
最高工作温度+150 °C
每片芯片元件数目2
类别功率 MOSFET
通道模式增强
通道类型N,P
配置
长度3mm
高度0.9mm

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