PDF查询| 数据列表 | HGTD1N120BNS, HGTP1N120BN |
|---|---|
| 产品相片 | TO-263 |
| 产品培训模块 | High Voltage Switches for Power Processing |
| 标准包装 | 2,500 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | IGBT - 单路 |
| 系列 | - |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| IGBT 类型 | NPT |
| 电压 - 集射极击穿（最大值） | 1200V |
| 不同?Vge、Ic 时的?Vce(on) | 2.9V @ 15V，1A |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 5.3A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 6A |
| 功率 - 最大值 | 60W |
| Switching Energy | 70µJ (开), 90µJ (关) |
| 输入类型 | 标准 |
| Gate Charge | 14nC |
| Td (on/off) A 25°C | 15ns/67ns |
| Test Condition | 960V, 1A, 82 欧姆, 15V |
| 反向恢复时间 (trr) | - |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 供应商器件封装 | TO-252AA |
| 其它名称 | HGTD1N120BNS9A-ND HGTD1N120BNS9ATR |
