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Fairchild Semiconductor - HGT4E20N60A4DS - IGBT 晶体管 TO-268 - HGT4E20N60A4DS
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HGT4E20N60A4DS
制造商型号： HGT4E20N60A4DS
制造商： Fairchild Semiconductor
描述： IGBT 晶体管 TO-268
技术参考： Rohs PDF查询
库存状态： 实时库存查询  所在地：深圳全新原装现货
备注： 代理销售世界各大品牌电子元器件，大量全新原装正品现货
订购热线： 400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大，部分产品信息可能未能及时更新，下单前请与销售人员确认好实时在库数量，谢谢合作！
产品信息
制造商:Fairchild Semiconductor
RoHS:否
配置:Single
集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V
栅极/发射极最大电压:+/- 20 V
最大工作温度:+ 150 C
封装 / 箱体:TO-247-3
集电极最大连续电流 Ic:70 A
最小工作温度:- 55 C
安装风格:Through Hole

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