PDF查询| 数据列表 | HGTD3N60C3S, HGTP3N60C3 |
|---|---|
| 产品相片 | TO-263 |
| 标准包装 | 2,500 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | IGBT - 单路 |
| 系列 | - |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| IGBT 类型 | - |
| 电压 - 集射极击穿（最大值） | 600V |
| 不同?Vge、Ic 时的?Vce(on) | 2V @ 15V，3A |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 6A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 24A |
| 功率 - 最大值 | 33W |
| Switching Energy | 85µJ (开), 245µJ (关) |
| 输入类型 | 标准 |
| Gate Charge | 10.8nC |
| Td (on/off) A 25°C | 5ns/325ns |
| Test Condition | - |
| 反向恢复时间 (trr) | - |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 供应商器件封装 | TO-252AA |
