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Fairchild Semiconductor - HGT1S7N60C3DS9A - IGBT UFS N-CH 600V 14A TO-263AB - HGT1S7N60C3DS9A
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HGT1S7N60C3DS9A|Fairchild Semiconductor
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HGT1S7N60C3DS9A
制造商型号: HGT1S7N60C3DS9A
制造商: Fairchild Semiconductor
描述: IGBT UFS N-CH 600V 14A TO-263AB
技术参考: Rohs PDF查询
库存状态: 实时库存查询  所在地:深圳全新原装现货
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产品信息
数据列表 HGTP7N60C3D, HGT1S7N60C3D/S
产品相片 TO-263
产品培训模块 High Voltage Switches for Power Processing
标准包装  800
类别分立半导体产品
家庭IGBT - 单路
系列-
包装  带卷 (TR)  
IGBT 类型-
电压 - 集射极击穿(最大值)600V
不同?Vge、Ic 时的?Vce(on)2V @ 15V,7A
电流 - 集电极 (Ic)(最大值)14A
Current - Collector Pulsed (Icm)56A
功率 - 最大值60W
Switching Energy165µJ (开), 600µJ (关)
输入类型标准
Gate Charge23nC
Td (on/off) A 25°C8.5ns/350ns
Test Condition-
反向恢复时间 (trr)18ns
封装/外壳TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
安装类型表面贴装
供应商器件封装TO-263AB

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