| 型号 | 制造商 | 描述 | 库存 | 起订量 | 单价 (含税) | 货期 (工作日) | 操作 |
| 2SJ200-Y(F | Toshiba | MOSFET,Pch,180V/10A,0.83ohm,TO-3P(N) | 查看库存、价格及货期 | ||||
| 参考图片 | 型号/品牌 | 描述 / 技术参考 | 操作 |
 | 2SJ200-Y(F Toshiba | MOSFET,Pch,180V/10A,0.83ohm,TO-3P(N) 暂无PDF | 查价格库存 查看详细 |
| 2SJ200-Y(F) Toshiba | MOSFET P-CH 180V 10A TO-3PN 暂无PDF | 查价格库存 查看详细 |
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PDF查询| 典型输入电容值@Vds | 1300 pF V @ 30 | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 宽度 | 4.8mm | |
| 封装类型 | TO-3PN | |
| 尺寸 | 15.9 x 4.8 x 19mm | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 最大功率耗散 | 120000 mW | |
| 最大栅源电压 | ±20 V | |
| 最大漏源电压 | 180 V | |
| 最大连续漏极电流 | 10 A | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 通道类型 | P | |
| 配置 | 单 | |
| 长度 | 15.9mm | |
| 高度 | 19mm |
