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Renesas Electronics - 2SJ197-A - 分立元件,晶体管,三极管,小信号,MOSFET,P沟道,60V,1A,2SJ197-AZ - 2SJ197A
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2SJ190 SANYO Semiconductor Co Ltd  
504
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¥32.01
¥9.61
¥8.33
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2SJ190-TD-E
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ON Semiconductor

- Bulk (Alt: 2SJ190-TD-E)

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2SJ190-TD-E
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SANYO Semiconductor Co Ltd  
RoHS: Not Compliant | pbFree: No
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2SJ190
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SANYO Semiconductor Co Ltd  
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2SJ190-TC
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SANYO Semiconductor Co Ltd  
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2SJ197-A Renesas Electronics 分立元件,晶体管,三极管,小信号,MOSFET,P沟道,60V,1A,2SJ197-AZ 查看库存、价格及货期
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无图2SJ197-A
Renesas Electronics
分立元件,晶体管,三极管,小信号,MOSFET,P沟道,60V,1A,2SJ197-AZ
Rohs

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无图2SJ197-AZ
Renesas Electronics
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无图2SJ197-A
Renesas Electronics
分立元件,晶体管,三极管,小信号,MOSFET,P沟道,60V,1A,2SJ197-AZ
Rohs

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无图
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2SJ197-A
制造商型号: 2SJ197-A
制造商: Renesas Electronics
描述: 分立元件,晶体管,三极管,小信号,MOSFET,P沟道,60V,1A,2SJ197-AZ
技术参考: Rohs PDF查询
库存状态: 实时库存查询  原厂原装货
备注: 代理销售世界各大品牌电子元器件,大量原厂原装正品现货
订购热线:销售世界各大品牌电子元器件,大量原厂原装正品现货800152669, Email:sales@szcwdz.com
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产品信息
典型关断延迟时间380 ns
典型接通延迟时间45 ns
典型输入电容值@Vds220 pF V @ 10
安装类型表面贴装
宽度2.5mm
封装类型SC-62
尺寸4.5 x 2.5 x 1.5mm
引脚数目4
最低工作温度-55 °C
最大功率耗散2000 mW
最大栅源电压±20 V
最大漏源电压60 V
最大漏源电阻值1 Ω
最大连续漏极电流1.5 A
最高工作温度+150 °C
每片芯片元件数目1
类别功率 MOSFET
通道模式增强
通道类型P
配置
长度4.5mm
高度1.5mm

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