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| STY112N65M5 [更多] | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 650V 93A MAX247 RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 查看资料 |
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| STY112N65M5 [更多] | STMicroelectronics | MOSFET N-Channel 650V 93A 0.019 Ohm Mdmesh M5 RoHS: Compliant | 搜索 |
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| STY112N65M5 [更多] | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH Si 650V 96A 3-Pin(3+Tab) Max247 Tube RoHS: Compliant | pbFree: No | 搜索 |
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STY112N65M5 | 2098403 | STMICROELECTRONICS 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 96 A, 650 V, 0.019 ohm, 10 V, 4 V (EN) | 搜索 |
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 | STMicroelectronics MOSFET N-CH 650V 93A MAX247 详细描述：通孔 N 沟道 96A（Tc） 625W（Tc） MAX247? 型号：STY112N65M5 仓库库存编号：497-11236-5-ND 别名：497-11236-5 <br> | | 搜索 |
PDF查询| 数据列表 | STY112N65M5 |
|---|---|
| 产品相片 | STY130NF20D |
| 其它有关文件 | STY112N65M5 View All Specifications |
| 特色产品 | MDmesh V Series Mosfets |
| 标准包装 | 30 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | FET - 单 |
| 系列 | MDmesh™ |
| 包装 | 管件 |
| FET 类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 功能 | 标准 |
| 漏源极电压 (Vdss) | 650V |
| 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时） | 96A （Tc） |
| 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值） | 22 毫欧 @ 47A，10V |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） | 5V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 350nC @ 10V |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 16870pF @ 100V |
| 功率 - 最大值 | 625W |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | MAX247? |
| 供应商器件封装 | MAX-247 |
| 其它名称 | 497-11236-5 |
