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| STY112N65M5 [更多] | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 650V 93A MAX247 RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 查看资料 |
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| STY112N65M5 [更多] | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH Si 650V 96A 3-Pin(3+Tab) Max247 Tube RoHS: Compliant | pbFree: No | 搜索 |
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| STY112N65M5 [更多] | STMicroelectronics | Transistor: N-MOSFET, unipolar, 650V, 61A, 625W, MAX247
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| STY112N65M | STMicroelectronics | MOSFET，N沟道，650V，96A，Max247 | 查看库存、价格及货期 | ||||
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 | STY112N65M5 STMicroelectronics | MOSFET N-CH 650V 93A MAX247  | 查价格库存 查看详细 |
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 | STMicroelectronics MOSFET N-CH 650V 93A MAX247 详细描述：通孔 N 沟道 96A（Tc） 625W（Tc） MAX247? 型号：STY112N65M5 仓库库存编号：497-11236-5-ND 别名：497-11236-5 <br> | | 搜索 |
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STY112N65M5 | 2098403 | STMICROELECTRONICS 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 96 A, 650 V, 0.019 ohm, 10 V, 4 V (EN) | 搜索 |
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| 制造商零件编号： STY112N65M5 品牌： STMicroelectronics 库存编号： 761-0648 | 搜索 |
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 | STY112N65M STMicroelectronics | MOSFET，N沟道，650V，96A，Max247 暂无PDF | 查价格库存 查看详细 |
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PDF查询| 典型栅极电荷@Vgs | 350 nC V @ 10 | |
| 典型输入电容值@Vds | 16870 pF V @ 100 | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 宽度 | 5.3mm | |
| 封装类型 | Max247 | |
| 尺寸 | 5.9 x 5.3 x 20.3mm | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 最大功率耗散 | 625 W | |
| 最大栅源电压 | ±25 V | |
| 最大漏源电压 | 650 V | |
| 最大漏源电阻值 | 0.022 Ω | |
| 最大连续漏极电流 | 96 A | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 通道类型 | N | |
| 长度 | 5.9mm | |
| 高度 | 20.3mm |
