| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| STD10PF06-1 [更多] | STMicroelectronics | MOSFET P-Ch 60 Volt 10 Amp RoHS: Compliant | 搜索 |
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| STD10PF06-1 [更多] | STMicroelectronics | Trans MOSFET P-CH 60V 10A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
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| STD10PF06-1 [更多] | STMicroelectronics | Trans MOSFET P-CH 60V 10A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube RoHS: Compliant | 搜索 |
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| STD10PF06-1 [更多] | STMicroelectronics | 10 A, 60 V, 0.2 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-251AA
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| STD10PF06-1 | STMicroelectronics | MOSFET P-CH 60V 10A IPAK | 查看库存、价格及货期 | ||||
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 | STD10PF06-1 STMicroelectronics | MOSFET P-CH 60V 10A IPAK  | 查价格库存 查看详细 |
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 | STMicroelectronics MOSFET P-CH 60V 10A IPAK 详细描述：通孔 P 沟道 10A（Tc） 40W（Tc） I-Pak 型号：STD10PF06-1 仓库库存编号：497-12781-5-ND 别名：497-12781-5 <br>STD10PF06-1-ND <br> | | 搜索 |
PDF查询| 数据列表 | STD10PF06 |
|---|---|
| 产品相片 | DPAK_369D?01 |
| 标准包装 | 75 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | FET - 单 |
| 系列 | STripFET™ II |
| 包装 | 管件 |
| FET 类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 功能 | 标准 |
| 漏源极电压 (Vdss) | 60V |
| 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时） | 10A （Tc） |
| 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值） | 200 毫欧 @ 5A，10V |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 21nC @ 10V |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 850pF @ 25V |
| 功率 - 最大值 | 40W |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-251-3 长引线，IPak，TO-251AB |
| 供应商器件封装 | I-Pak |
| 其它名称 | 497-12781-5 STD10PF06-1-ND |
