| 型号 | 制造商 | 描述 | 实时库存 | 起订量 | 实时单价 (含税) | 货期 (工作日) | 操作 |
| STD10NM65N 库存编号:497-7957-6-ND | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 650V 9A DPAK | 0 1起订 | 1+ | ￥13.96 | 6-10天 | 询价 查看资料 |
| STD10NM65N 库存编号:497-7957-1-ND | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 650V 9A DPAK | 0 1起订 | 1+ | ￥13.96 | 6-10天 | 询价 查看资料 |
| STD10NM65N 库存编号:497-7957-2-ND | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 650V 9A DPAK | 0 2500起订 | 2500+ 5000+ | ￥9.08 ￥8.77 | 6-10天 | 询价 查看资料 |
| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| STD10NM65N [更多] | STMicroelectronics | MOSFET N-Channel 650V Power MDmesh RoHS: Compliant | 搜索 |
| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| STD10NM65N [更多] | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 650V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R RoHS: Compliant | pbFree: No | 搜索 |
| STD10NM65N [更多] | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 650V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R RoHS: Compliant | pbFree: No | 搜索 |
| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| STD10NM65N [更多] | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 650V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R (Alt: STD10NM65N) RoHS: Compliant | 搜索 |
| STD10NM65N [更多] | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 650V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R (Alt: STD10NM65N) RoHS: Compliant | 搜索 |
| STD10NM65N [更多] | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 650V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R - Cut TR (SOS) (Alt: STD10NM65N/BKN) RoHS: Compliant | 搜索 |
| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| STD10NM65N [更多] | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 650V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| STD10NM65N [更多] | STMicroelectronics | MOSFET, N CH, 650V, 9A, DPAK
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| STD10NM65N | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 650V 9A DPAK | 查看库存、价格及货期 | ||||
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 | STD10NM65N STMicroelectronics | MOSFET N-CH 650V 9A DPAK  | 查价格库存 查看详细 |
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| 产品描述 / 参考图片 | 制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号 | 操作 | ||
| 制造商零件编号： STD10NM65N 品牌： STMicroelectronics 库存编号： 760-9871 | 搜索 |
| 参考图片 | 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名 | 操作 | |
 | STMicroelectronics MOSFET N-CH 650V 9A DPAK 详细描述：表面贴装 N 沟道 9A（Tc） 90W（Tc） D-Pak 型号：STD10NM65N 仓库库存编号：497-7957-1-ND 别名：497-7957-1 <br> | | 搜索 |
| 制造商产品编号 | 仓库库存编号 | 制造商 / 说明 / 规格书 | 操作 |
STD10NM65N | 2098153 | STMICROELECTRONICS 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 9 A, 650 V, 0.43 ohm, 10 V, 3 V (EN) | 搜索 |
PDF查询| 数据列表 | STx10NM65N |
|---|---|
| 产品相片 | TO-263 |
| 其它有关文件 | STD10NM65N View All Specifications |
| 标准包装 | 2,500 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | FET - 单 |
| 系列 | MDmesh™ |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| FET 类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 功能 | 标准 |
| 漏源极电压 (Vdss) | 650V |
| 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时） | 9A （Tc） |
| 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值） | 480 毫欧 @ 4.5A，10V |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 25nC @ 10V |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 850pF @ 50V |
| 功率 - 最大值 | 90W |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商器件封装 | D-Pak |
| 产品目录页面 | 1542 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称 | 497-7957-2 STD10NM65N-ND |
