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| STD10NM60ND [更多] | STMicroelectronics | MOSFET N-Ch 600V 0.57 Ohm 8A FDmesh II PWR RoHS: Compliant | 搜索 |
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| STD10NM60ND [更多] | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 600V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 |
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STD10NM60ND | 2098152 | STMICROELECTRONICS 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 8 A, 600 V, 0.57 ohm, 10 V, 4 V (EN) | 搜索 |
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| 制造商零件编号： STD10NM60ND 品牌： STMicroelectronics 库存编号： 760-9534 | 搜索 |
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 | STMicroelectronics MOSFET N-CH 600V 8A DPAK 详细描述：表面贴装 N 沟道 8A（Tc） 70W（Tc） DPAK 型号：STD10NM60ND 仓库库存编号：497-12239-1-ND 别名：497-12239-1 <br> | | 搜索 |
PDF查询| 数据列表 | STx10NM60ND |
|---|---|
| 产品相片 | TO-263 |
| 其它有关文件 | STD10NM60ND View All Specifications |
| 标准包装 | 2,500 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | FET - 单 |
| 系列 | FDmesh™ II |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| FET 类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 功能 | 标准 |
| 漏源极电压 (Vdss) | 600V |
| 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时） | 8A （Tc） |
| 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值） | 600 毫欧 @ 4A，10V |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） | 5V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 20nC @ 10V |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 577pF @ 50V |
| 功率 - 最大值 | 70W |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商器件封装 | D-Pak |
| 其它名称 | 497-12239-2 |
