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| STB55NF06LT4 [更多] | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 60V 55A D2PAK RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 查看资料 |
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| STB55NF06LT4 [更多] | STMicroelectronics | MOSFET, N CH, 60V, 55A, D2PAK
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| STB55NF06LT4 [更多] | STMicroelectronics | 55 A, 60 V, 0.02 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB
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| STB55NF06LT | STMicroelectronics | MOSFET，N沟道，60V，55A，D2PAK | 查看库存、价格及货期 | ||||
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 | STMicroelectronics MOSFET N-CH 60V 55A D2PAK 详细描述：表面贴装 N 沟道 55A（Tc） 95W（Tc） D2PAK 型号：STB55NF06LT4 仓库库存编号：497-7462-1-ND 别名：497-7462-1 <br> |  | 搜索 |
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| 制造商零件编号： STB55NF06LT4 品牌： STMicroelectronics 库存编号： 920-8792 | 搜索 |
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 | STB55NF06LT STMicroelectronics | MOSFET，N沟道，60V，55A，D2PAK 暂无PDF | 查价格库存 查看详细 |
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PDF查询| 典型关断延迟时间 | 40 ns | |
| 典型接通延迟时间 | 20 ns | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 27 nC V @ 4.5 | |
| 典型输入电容值@Vds | 1700 pF V @ 25 | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 宽度 | 10.4mm | |
| 封装类型 | DPAK | |
| 尺寸 | 10.75 x 10.4 x 4.6mm | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 最大功率耗散 | 95 W | |
| 最大栅源电压 | ±16 V | |
| 最大漏源电压 | 60 V | |
| 最大漏源电阻值 | 0.02 Ω | |
| 最大连续漏极电流 | 55 A | |
| 最高工作温度 | +175 °C | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 通道类型 | N | |
| 长度 | 10.75mm | |
| 高度 | 4.6mm |
