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STMICROELECTRONICS - STB55NF03LT4 - 场效应管 MOSFET N沟道 30V 55A D2PAK - STB55NF03LT4
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STB55NF03LT4
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MOSFET N-Ch 30 Volt 55 Amp

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型号 制造商 描述 操作
STB55NF03LT4
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Trans MOSFET N-CH 30V 55A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R (Alt: STB55NF03LT4)

RoHS: Compliant

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STB55NF03LT4
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Trans MOSFET N-CH 30V 55A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R - Tape and Reel (Alt: STB55NF03LT4)

RoHS: Compliant

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型号 制造商 描述 操作
STB55NF03LT4
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MOSFET, N CH, 30V, 55A, D2PAK

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STB55NF03LT4
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MOSFET, N CH, 30V, 55A, D2PAK

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STB55NF03LT4
STMICROELECTRONICS STB55NF03LT4		1752001

STMICROELECTRONICS

晶体管, MOSFET, N沟道, 27.5 A, 30 V, 10 mohm, 10 V, 1 V

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STB55NF03LT4
STMICROELECTRONICS STB55NF03LT4		1752001RL

STMICROELECTRONICS

晶体管, MOSFET, N沟道, 27.5 A, 30 V, 10 mohm, 10 V, 1 V

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STB55NF03LT4|STMICROELECTRONICS
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
STB55NF03LT4
制造商型号： STB55NF03LT4
制造商： STMICROELECTRONICS
描述： 场效应管 MOSFET N沟道 30V 55A D2PAK
技术参考： Rohs PDF查询
库存状态： 实时库存查询  原厂原装货
备注： 代理销售世界各大品牌电子元器件，大量全新原装正品现货
订购热线：销售世界各大品牌电子元器件，大量原厂原装正品现货800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大，部分产品信息可能未能及时更新，下单前请与销售人员确认好实时在库数量，谢谢合作！
产品信息
  • 场效应管 MOSFET N沟道 30V 55A D2PAK
  • 晶体管极性: N沟道
  • 电流, Id 连续: 27.5A
  • 漏源电压, Vds: 30V
  • 在电阻RDS（上）: 10mohm
  • 电压 @ Rds测量: 10V
  • 阈值电压, Vgs th 典型值: 1V
  • 功耗, Pd: 80W
  • 工作温度最小值: -60°C
  • 工作温度最高值: 175°C
  • 封装类型: TO-263
  • 针脚数: 3
  • SVHC(高度关注物质): No SVHC (19-Dec-2012)
  • 封装/箱盒: D2-PAK
  • 工作温度范围: -60°C 至 +175°C
  • 晶体管类型: 功率MOSFET
  • 漏极电流, Id 最大值: 55A
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量: 10V
  • 电压, Vds 典型值: 30V
  • 电压, Vgs 最高: 16V
  • 表面安装器件: SMD

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