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NXP - PMGD780SN115 - 场效应管 MOSFET N沟道 微槽技术 双路 60V SOT363 - PMGD780SN115
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型号 制造商 描述 操作
PMGD780SN,115
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MOSFET 2N-CH 60V 0.49A 6TSSOP

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PMGD780SN,115
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MOSFET 2N-CH 60V 0.49A 6TSSOP

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MOSFET 2N-CH 60V 0.49A 6TSSOP

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MOSFET N-CH TRENCH DL 60V

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PMGD780SN,115
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Trans MOSFET N-CH 60V 0.49A 6-Pin SOT-363 T/R

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PMGD780SN,115
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Trans MOSFET N-CH 60V 0.49A 6-Pin SOT-363 T/R

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PMGD780SN,115
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Trans MOSFET N-CH 60V 0.49A 6-Pin TSSOP T/R - Tape and Reel (Alt: PMGD780SN,115)

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PMGD780SN,115
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Trans MOSFET N-CH 60V 0.49A 6-Pin TSSOP T/R - Cut TR (SOS) (Alt: PMGD780SN,115/BKN)

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PMGD780SN,115
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MOSFET, N CH, TRENCH DL, 60V, SOT363

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PMGD780SN,115
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MOSFET, N CH, TRENCH DL, 60V, SOT363

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PMGD780SN,115
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Dual N-Channel 60 V 0.92 Ohm 410 mW 1.05 nC ?TrenchMOS Standard FET - SOT-363

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PMGD780SN115
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PMGD780SN,115
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MOSFET Operating temperature: -55...+150 °C Housing type: SOT-363 Polarity: N Power dissipation: 410 mW

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PMGD780SN.115
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Transistor: N-MOSFET x2, unipolar, 60V, 0.31A, 410mW, SOT363

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PMGD780SN115 NXP 场效应管 MOSFET N沟道 微槽技术 双路 60V SOT363 查看库存、价格及货期
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无图PMGD780SN 115
NXP Semiconductors		MOSFET N-CH TRENCH DL 60V
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PMGD780SN,115|NXPPMGD780SN,115
NXP		PMGD 系列 60 V 0.92 Ω 410 mW 双N沟道 μTrenchMOS 标准 FET - SOT-363
Rohs

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PMGD780SN115|NXPPMGD780SN115
NXP		场效应管 MOSFET N沟道 微槽技术 双路 60V SOT363
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无图PMGD780SN,115
NXP		PMGD 系列 60 V 0.92 Ω 410 mW 双N沟道 μTrenchMOS 标准 FET - SOT-363
Rohs

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PMGD780SN,115|NXP SemiconductorsPMGD780SN,115
NXP Semiconductors		MOSFET N-CH TRENCH DL 60V 6TSSOP
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PMGD780SN115|NXPPMGD780SN115
NXP		场效应管 MOSFET N沟道 微槽技术 双路 60V SOT363
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PMGD780SN,115|NXP SemiconductorsPMGD780SN,115
NXP Semiconductors		MOSFET N-CH TRENCH DL 60V SOT363
Rohs

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产品描述 / 参考图片 制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号 操作

Nexperia - PMGD780SN,115 - Nexperia 双 Si N沟道 MOSFET PMGD780SN,115, 490 mA, Vds=60 V, 6引脚 SOT-363封装
制造商零件编号：
PMGD780SN,115
品牌：
Nexperia
库存编号：
725-8322
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参考图片 制造商 / 说明 / 型号 / 仓库库存编号 PDF 操作

NXP - PMGD780SN,115 - MOSFET N, 60 V 0.49 A 410 mW SOT-363, PMGD780SN,115, NXP		NXP
MOSFET N, 60 V 0.49 A 410 mW SOT-363, PMGD780SN,115, NXP

型号：PMGD780SN,115
仓库库存编号：300-57-632

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参考图片 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名 PDF 操作

Nexperia USA Inc. - PMGD780SN,115 - MOSFET 2N-CH 60V 0.49A 6TSSOP		Nexperia USA Inc.
MOSFET 2N-CH 60V 0.49A 6TSSOP
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 490mA 410mW Surface Mount 6-TSSOP

型号：PMGD780SN,115
仓库库存编号：1727-3127-1-ND
别名：1727-3127-1 <br>568-2369-1 <br>568-2369-1-ND <br>

无铅		搜索
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制造商产品编号 仓库库存编号 制造商 / 说明 / 规格书 操作
PMGD780SN,115
NEXPERIA PMGD780SN,115		1758102

NEXPERIA

双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 300 mA, 60 V, 0.78 ohm, 10 V, 2 V

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PMGD780SN,115
NEXPERIA PMGD780SN,115		1758102RL

NEXPERIA

双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 300 mA, 60 V, 0.78 ohm, 10 V, 2 V

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PMGD780SN115|NXP
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
PMGD780SN115
制造商型号： PMGD780SN115
制造商： NXP
描述： 场效应管 MOSFET N沟道 微槽技术 双路 60V SOT363
技术参考： Rohs PDF查询
库存状态： 实时库存查询  原厂原装货
备注： 代理销售世界各大品牌电子元器件，大量原厂原装正品现货
订购热线：销售世界各大品牌电子元器件，大量原厂原装正品现货800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大，部分产品信息可能未能及时更新，下单前请与销售人员确认好实时在库数量，谢谢合作！
产品信息
  • 场效应管 MOSFET N沟道 微槽技术 双路 60V SOT363
  • 晶体管极性: 双N沟道
  • 电流, Id 连续: 300mA
  • 漏源电压, Vds: 60V
  • 在电阻RDS（上）: 920mohm
  • 电压 @ Rds测量: 10V
  • 阈值电压, Vgs th 典型值: 2V
  • 功耗, Pd: 410mW
  • 工作温度最小值: -55°C
  • 工作温度最高值: 150°C
  • 封装类型: SOT-363
  • 针脚数: 6
  • SVHC(高度关注物质): No SVHC (19-Dec-2012)
  • 封装/箱盒: SOT-363
  • 工作温度范围: -55??C 至 +150°C
  • 晶体管类型: 增强
  • 模块配置: 双
  • 漏极电流, Id 最大值: 490mA
  • 漏源电压 Vds, N沟道: 60V
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量: 10V
  • 电压, Vds 典型值: 60V
  • 电压, Vgs 最高: 20V
  • 表面安装器件: SMD
  • 连续漏极电流 Id, N沟道: 490mA
  • 通态电阻 Rds(on), N沟道: 0.78ohm

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