| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| PMGD780SN,115 [更多] | Nexperia | MOSFET 2N-CH 60V 0.49A 6TSSOP RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 查看资料 |
| PMGD780SN,115 [更多] | Nexperia | MOSFET 2N-CH 60V 0.49A 6TSSOP RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 查看资料 |
| PMGD780SN,115 [更多] | Nexperia | MOSFET 2N-CH 60V 0.49A 6TSSOP RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 查看资料 |
| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| PMGD780SN,115 [更多] | Nexperia | MOSFET N-CH TRENCH DL 60V RoHS: Compliant | 搜索 |
| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| PMGD780SN,115 [更多] | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 0.49A 6-Pin SOT-363 T/R RoHS: Compliant | 搜索 |
| PMGD780SN,115 [更多] | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 0.49A 6-Pin SOT-363 T/R RoHS: Compliant | 搜索 |
| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| PMGD780SN,115 [更多] | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 0.49A 6-Pin TSSOP T/R - Tape and Reel (Alt: PMGD780SN,115) RoHS: Compliant | 搜索 |
| PMGD780SN,115 [更多] | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 0.49A 6-Pin TSSOP T/R - Cut TR (SOS) (Alt: PMGD780SN,115/BKN) RoHS: Compliant | 搜索 |
| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| PMGD780SN,115 [更多] | Nexperia | MOSFET, N CH, TRENCH DL, 60V, SOT363
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| PMGD780SN,115 [更多] | Nexperia | MOSFET, N CH, TRENCH DL, 60V, SOT363
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| PMGD780SN,115 [更多] | Nexperia | Dual N-Channel 60 V 0.92 Ohm 410 mW 1.05 nC ?TrenchMOS Standard FET - SOT-363 RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 |
| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| PMGD780SN115 [更多] | NXP Semiconductors |
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| PMGD780SN,115 [更多] | NXP Semiconductors | MOSFET Operating temperature: -55...+150 °C Housing type: SOT-363 Polarity: N Power dissipation: 410 mW
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| PMGD780SN.115 [更多] | Nexperia | Transistor: N-MOSFET x2, unipolar, 60V, 0.31A, 410mW, SOT363
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 库存 | 起订量 | 单价 (含税) | 货期 (工作日) | 操作 |
| PMGD780SN,115 | NXP Semiconductors | MOSFET N-CH TRENCH DL 60V 6TSSOP | 查看库存、价格及货期 | ||||
| 参考图片 | 型号/品牌 | 描述 / 技术参考 | 操作 |
 | PMGD780SN 115 NXP Semiconductors | MOSFET N-CH TRENCH DL 60V 暂无PDF | 查价格库存 查看详细 |
 | PMGD780SN,115 NXP | PMGD 系列 60 V 0.92 Ω 410 mW 双N沟道 μTrenchMOS 标准 FET - SOT-363  | 查价格库存 查看详细 |
 | PMGD780SN115 NXP | 场效应管 MOSFET N沟道 微槽技术 双路 60V SOT363 | 查价格库存 查看详细 |
| 参考图片 | 型号/品牌 | 描述 / 技术参考 | 操作 |
| PMGD780SN,115 NXP | PMGD 系列 60 V 0.92 Ω 410 mW 双N沟道 μTrenchMOS 标准 FET - SOT-363 | 查价格库存 查看详细 |
| PMGD780SN,115 NXP Semiconductors | MOSFET N-CH TRENCH DL 60V 6TSSOP | 查价格库存 查看详细 |
| PMGD780SN115 NXP | 场效应管 MOSFET N沟道 微槽技术 双路 60V SOT363 | 查价格库存 查看详细 |
| 参考图片 | 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名 | 操作 | |
 | Nexperia USA Inc. MOSFET 2N-CH 60V 0.49A 6TSSOP 详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 490mA 410mW Surface Mount 6-TSSOP 型号：PMGD780SN,115 仓库库存编号：1727-3127-1-ND 别名：1727-3127-1 <br>568-2369-1 <br>568-2369-1-ND <br> | | 搜索 |
| 参考图片 | 制造商 / 说明 / 型号 / 仓库库存编号 | 操作 | |
 | NXP MOSFET N, 60 V 0.49 A 410 mW SOT-363, PMGD780SN,115, NXP 型号：PMGD780SN,115 仓库库存编号：300-57-632 | | 搜索 |
| 参考图片 | 型号/品牌 | 描述 / 技术参考 | 操作 |
 | PMGD780SN,115 NXP Semiconductors | MOSFET N-CH TRENCH DL 60V SOT363 | 查价格库存 查看详细 |
| 产品描述 / 参考图片 | 制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号 | 操作 | ||
| 制造商零件编号： PMGD780SN,115 品牌： Nexperia 库存编号： 725-8322 | 搜索 |
PDF查询| 数据列表 | PMGD780SN |
|---|---|
| 产品相片 | SOT-363 PKG |
| PCN Design/Specification | Resin Hardener 02/Jul/2013 |
| 标准包装 | 3,000 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | FET - 阵列 |
| 系列 | TrenchMOS™ |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| FET 类型 | 2 个 N 沟道（双） |
| FET 功能 | 逻辑电平门 |
| 漏源极电压 (Vdss) | 60V |
| 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时） | 490mA |
| 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值） | 920 毫欧 @ 300mA，10V |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 1.05nC @ 10V |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 23pF @ 30V |
| 功率 - 最大值 | 410mW |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 供应商器件封装 | 6-TSSOP |
| 产品目录页面 | 1507 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称 | 568-2369-2 934057709115 PMGD780SN T/R PMGD780SN115 |
