创唯电子
NXP - PMGD400UN,115 - PMGD 系列 30 V 480 mΩ 410 mW 双 N沟道 μTrenchMOS 超低 FET - SOT-363 - PMGD400UN115
登录  |  购物车(0)  |  注册    
库存查询
您现在的位置: 首页 > 制造商索引 > NXP - PMGD400UN,115 - PMGD 系列 30 V 480 mΩ 410 mW 双 N沟道 μTrenchMOS 超低 FET - SOT-363 - PMGD400UN115
搜索查看价格,货期,PDF,及最新库存

50个仓库,1500万条库存数据任选
  美国1号仓库    仓库直销,订单金额100元起订,满300元含运,满500元含税运,有单就有优惠,量大更优惠,支持原厂订货
型号 制造商 描述 实时库存 起订量 实时单价
(含税)
货期
(工作日)
操作
PMGD400UN,115
库存编号:568-2368-6-ND
NXP Semiconductors MOSFET 2N-CH 30V 0.71A 6TSSOP0
1起订
1+
¥5.24
6-10天询价 询价
查看资料
PMGD400UN,115
库存编号:568-2368-1-ND
NXP Semiconductors MOSFET 2N-CH 30V 0.71A 6TSSOP0
1起订
6-10天询价 询价
查看资料
PMGD400UN,115
库存编号:568-2368-2-ND
NXP Semiconductors MOSFET 2N-CH 30V 0.71A 6TSSOP0
1起订
6-10天询价 询价
查看资料
  英国8号仓库    仓库直销,订单金额100元起订,满300元含运,满500元含税运,有单就有优惠,量大更优惠,支持原厂订货
型号 制造商 描述 实时库存 起订量 实时单价
(含税)
货期
(工作日)
操作
PMGD400UN,115 NXP Semiconductors SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 0.71A I(D), 30V, 2-ELEMENT, N-CHANNEL, SILICON, METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR FET3947
1起订
1+
431+
2390+
¥3.41
¥1.54
¥1.11
1-3周购买 购买
,"cvcgetWeb":["c3JjPTI0JlBOPQ=="],"cvcModel":["PMGD400UN,115"],"cvcBrand":[" NXP Semiconductors "],"cvcNumberAll":["1,431,2390,"],"cvcPriceAll":["3.41,1.54,1.11,"],"maxnum":["3947"],"minnum":["1"],"mytime":["1-3周"],"haveiscanbuy":["yes"],
参考价格及参考库存
  日本1号仓库    仓库直销,订单金额100元起订,满300元含运,满500元含税运,有单就有优惠,量大更优惠,支持原厂订货
型号 制造商 描述 操作
PMGD400UN,115
[更多]
Nexperia

Trans MOSFET N-CH 30V 0.71A 6-Pin TSSOP T/R

搜索
查看更多最新库存及价格请点击搜索按钮,以下列表只显示产品部分信息。
  自家仓库    仓库直销,订单金额100元起订,满300元含运,满500元含税运,有单就有优惠,量大更优惠,支持原厂订货
型号 制造商 描述 库存 起订量 单价
(含税)
货期
(工作日)
操作
PMGD400UN,115 NXP PMGD 系列 30 V 480 mΩ 410 mW 双 N沟道 μTrenchMOS 超低 FET - SOT-363 查看库存、价格及货期
  美国1号仓库    查看更多相关产品
参考图片 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名 PDF 操作

NXP USA Inc. - PMGD400UN,115 - MOSFET 2N-CH 30V 0.71A 6TSSOP
NXP USA Inc.
MOSFET 2N-CH 30V 0.71A 6TSSOP

详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 710mA 410mW Surface Mount 6-TSSOP

型号:PMGD400UN,115
仓库库存编号:568-2368-1-ND
别名:568-2368-1 <br>

无铅
搜索
  www.szcwdz.com    查看更多相关产品
参考图片 型号/品牌 描述 / 技术参考 操作
无图PMGD400UN 115
NXP Semiconductors
MOSFET N-CH TRENCH DL 30V
暂无PDF 
查价格库存
查看详细
PMGD400UN,115|NXPPMGD400UN,115
NXP
PMGD 系列 30 V 480 mΩ 410 mW 双 N沟道 μTrenchMOS 超低 FET - SOT-363
Rohs

PDF下载 
查价格库存
查看详细
PMGD400UN115|NXPPMGD400UN115
NXP
场效应管 MOSFET N沟道 微槽技术 双路 30V SOT363
Rohs

PDF下载 
查价格库存
查看详细
  www.szcwdz.cn    查看更多相关产品
参考图片 型号/品牌 描述 / 技术参考 操作
PMGD400UN,115|NXPPMGD400UN,115
NXP
PMGD 系列 30 V 480 mΩ 410 mW 双 N沟道 μTrenchMOS 超低 FET - SOT-363
Rohs

PDF下载 
查价格库存
查看详细
PMGD400UN,115|NXP SemiconductorsPMGD400UN,115
NXP Semiconductors
MOSFET N-CH TRENCH DL 30V 6TSSOP
Rohs

PDF下载 
查价格库存
查看详细
PMGD400UN115|NXPPMGD400UN115
NXP
场效应管 MOSFET N沟道 微槽技术 双路 30V SOT363
Rohs

PDF下载 
查价格库存
查看详细
  www.szcwdz.com.cn    查看更多相关产品
参考图片 型号/品牌 描述 / 技术参考 操作
PMGD400UN,115|NXP SemiconductorsPMGD400UN,115
NXP Semiconductors
MOSFET N-CH TRENCH DL 30V SOT363
Rohs

PDF下载 
查价格库存
查看详细
PMGD400UN,115|NXP
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
PMGD400UN,115
制造商型号: PMGD400UN,115
制造商: NXP
描述: PMGD 系列 30 V 480 mΩ 410 mW 双 N沟道 μTrenchMOS 超低 FET - SOT-363
技术参考: Rohs PDF查询
库存状态: 实时库存查询  原厂原装货
备注: 代理销售世界各大品牌电子元器件,大量原厂原装正品现货
订购热线:销售世界各大品牌电子元器件,大量原厂原装正品现货800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大,部分产品信息可能未能及时更新,下单前请与销售人员确认好实时在库数量,谢谢合作!
产品信息
  • Channel Type: Dual N-Channel
  • Drain-to-Source Voltage [Vdss]: 30 V
  • Drain-Source On Resistance-Max: 480 mΩ
  • Qg Gate Charge: 0.89 nC
  • Rated Power Dissipation: 0.41 W

旗下站点www.szcwdz.com相关详细信息: PMGD400UN,115
旗下站点www.szcwdz.com.cn相关详细信息: PMGD400UN,115
询价
  • *所需产品:
  • *联系人:
  • *联系电话:
  • *电子邮箱:
  • 备注内容:
  
电话:400-900-3095
QQ:800152669
类似产品
电话:400-900-3095 邮箱:sales@szcwdz.com QQ:800152669
Copyright © 深圳市创唯电子有限公司 www.szcwdz.cn 粤ICP备11103613号