| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| PMGD400UN,115 [更多] | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 30V 0.71A 6-Pin TSSOP T/R
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 库存 | 起订量 | 单价 (含税) | 货期 (工作日) | 操作 |
| PMGD400UN,11 | NXP | MOSFET，双，N沟道，30V，0.71A，SOT363 | 查看库存、价格及货期 | ||||
| 参考图片 | 型号/品牌 | 描述 / 技术参考 | 操作 |
 | PMGD400UN 115 NXP Semiconductors | MOSFET N-CH TRENCH DL 30V 暂无PDF | 查价格库存 查看详细 |
| PMGD400UN,11 NXP | MOSFET，双，N沟道，30V，0.71A，SOT363 暂无PDF | 查价格库存 查看详细 |
 | PMGD400UN,115 NXP | PMGD 系列 30 V 480 mΩ 410 mW 双 N沟道 μTrenchMOS 超低 FET - SOT-363 | 查价格库存 查看详细 |
 | PMGD400UN115 NXP | 场效应管 MOSFET N沟道 微槽技术 双路 30V SOT363 | 查价格库存 查看详细 |
| 参考图片 | 型号/品牌 | 描述 / 技术参考 | 操作 |
| PMGD400UN,115 NXP | PMGD 系列 30 V 480 mΩ 410 mW 双 N沟道 μTrenchMOS 超低 FET - SOT-363 | 查价格库存 查看详细 |
 | PMGD400UN,115 NXP Semiconductors | MOSFET N-CH TRENCH DL 30V 6TSSOP | 查价格库存 查看详细 |
| PMGD400UN,11 NXP | MOSFET，双，N沟道，30V，0.71A，SOT363 暂无PDF | 查价格库存 查看详细 |
| PMGD400UN115 NXP | 场效应管 MOSFET N沟道 微槽技术 双路 30V SOT363 | 查价格库存 查看详细 |
| 参考图片 | 型号/品牌 | 描述 / 技术参考 | 操作 |
 | PMGD400UN,115 NXP Semiconductors | MOSFET N-CH TRENCH DL 30V SOT363 | 查价格库存 查看详细 |
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 | NXP USA Inc. MOSFET 2N-CH 30V 0.71A 6TSSOP 详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 710mA 410mW Surface Mount 6-TSSOP 型号：PMGD400UN,115 仓库库存编号：568-2368-1-ND 别名：568-2368-1 <br> | | 搜索 |
PDF查询| 典型关断延迟时间 | 18 ns | |
| 典型接通延迟时间 | 4 ns | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 0.89 常闭 V @ 4.5 | |
| 典型输入电容值@Vds | 43 pF V @ 25 | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 宽度 | 1.35mm | |
| 封装类型 | SOT-363 | |
| 尺寸 | 2.2 x 1.35 x 1mm | |
| 引脚数目 | 6 | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 最大功率耗散 | 0.41 W | |
| 最大栅源电压 | ±8 V | |
| 最大漏源电压 | 30 V | |
| 最大漏源电阻值 | 0.48 Ω | |
| 最大连续漏极电流 | 0.71 A | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 每片芯片元件数目 | 2 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 通道类型 | N | |
| 配置 | 双 | |
| 长度 | 2.2mm | |
| 高度 | 1mm |
