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型号	制造商	描述	实时库存	起订量	实时单价 (含税)	货期 (工作日)	操作
PMGD370XN,115 库存编号:568-2367-2-ND	Nexperia	MOSFET 2N-CH 30V 0.74A 6TSSOP	0 起订			6-10天询价	询价查看资料
PMGD370XN,115 库存编号:568-2367-1-ND	Nexperia	MOSFET 2N-CH 30V 0.74A 6TSSOP	0 起订			6-10天询价	询价查看资料
PMGD370XN,115 库存编号:568-2367-6-ND	Nexperia	MOSFET 2N-CH 30V 0.74A 6TSSOP	0 1起订	1+	￥5.24	6-10天询价	询价查看资料

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型号	制造商	描述	实时库存	起订量	实时单价 (含税)	货期 (工作日)	操作
PMGD370XN,115	NXP Semiconductors	740 MA, 30 V, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, SI, SMALL SIGNAL, MOSFET	140 1起订	1+ 26+ 60+	￥3.71 ￥3.09 ￥2.47	1-3周购买	购买 ,"cvcgetWeb":["c3JjPTI0JlBOPQ=="],"cvcModel":["PMGD370XN,115"],"cvcBrand":[" NXP Semiconductors "],"cvcNumberAll":["1,26,60,"],"cvcPriceAll":["3.71,3.09,2.47,"],"maxnum":["140"],"minnum":["1"],"mytime":["1-3周"],

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PMGD370XN,115
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Nexperia

MOSFET N-CH TRENCH DL 30V

RoHS: Compliant

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PMGD370XN,115
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Nexperia

Trans MOSFET N-CH 30V 0.74A 6-Pin TSSOP T/R

pbFree: No

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型号	制造商	描述	库存	起订量	单价 (含税)	货期 (工作日)	操作
PMGD370XN	NXP	场效应管 MOSFET 双N沟道 30V 0.74A SOT363	查看库存、价格及货期

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制造商产品编号	仓库库存编号	制造商 / 说明 / 规格书	操作
PMGD370XN	1894746RL	NEXPERIA 双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 740 mA, 30 V, 0.37 ohm, 4.5 V, 1 V (EN)	搜索
PMGD370XN	1894746	NEXPERIA 双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 740 mA, 30 V, 0.37 ohm, 4.5 V, 1 V (EN)	搜索

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制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号

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Nexperia 双 Si N沟道 MOSFET PMGD370XN, 1.5 A, Vds=30 V, 6引脚 SC-88封装

制造商零件编号：
PMGD370XN
品牌：
Nexperia
库存编号：
816-6896

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参考图片	型号/品牌	描述 / 技术参考	操作
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	PMGD370XN,115 NXP Semiconductors	MOSFET N-CH TRENCH DL 30V 6TSSOP	查价格库存查看详细
	PMGD370XN NXP	场效应管 MOSFET 双N沟道 30V 0.74A SOT363 暂无PDF	查价格库存查看详细

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	PMGD370XN115 NXP	原厂原装货暂无PDF	查价格库存查看详细

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	PMGD370XN,115 NXP Semiconductors	MOSFET N-CH TRENCH DL 30V SOT363	查价格库存查看详细

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	Nexperia USA Inc. MOSFET 2N-CH 30V 0.74A 6TSSOP 详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 740mA 410mW Surface Mount 6-TSSOP 型号：PMGD370XN,115 仓库库存编号：568-2367-1-ND 别名：568-2367-1 <br>	无铅	搜索

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PMGD370XN
制造商型号： PMGD370XN
制造商： NXP
描述： 场效应管 MOSFET 双N沟道 30V 0.74A SOT363
技术参考：

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备注： 代理销售世界各大品牌电子元器件，大量原厂原装正品现货
订购热线：销售世界各大品牌电子元器件，大量原厂原装正品现货800152669, Email:sales@szcwdz.com

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产品信息

场效应管 MOSFET 双N沟道 30V 0.74A SOT363
晶体管极性: N沟道
电流, Id 连续: 740mA
漏源电压, Vds: 30V
在电阻RDS（上）: 0.37ohm
电压 @ Rds测量: 4.5V
阈值电压, Vgs th 典型值: 1V
功耗, Pd: 410mW
工作温度最小值: -55°C
工作温度最高值: 150°C
封装类型: SOT-363
针脚数: 6
SVHC(高度关注物质): No SVHC (19-Dec-2012)
功耗, Pd: 410mW
工作温度范围: -55°C 至 +150°C
模块配置: 双N通道
漏源电压 Vds, N沟道: 30V
连续漏极电流 Id, N沟道: 740mA
通态电阻 Rds(on), N沟道: 0.37ohm

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Q Q：800152669
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