| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| PMGD290XN,115 [更多] | Nexperia | MOSFET 2N-CH 20V 0.86A 6TSSOP RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 查看资料 |
| PMGD290XN,115 [更多] | Nexperia | MOSFET 2N-CH 20V 0.86A 6TSSOP RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 查看资料 |
| PMGD290XN,115 [更多] | Nexperia | MOSFET 2N-CH 20V 0.86A 6TSSOP RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 查看资料 |
| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| PMGD290XN,115 [更多] | Nexperia | MOSFET N-CH TRENCH DL 20V RoHS: Compliant | 搜索 |
| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| PMGD290XN,115 [更多] | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 20V 0.86A 6-Pin TSSOP T/R RoHS: Compliant | 搜索 |
| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| PMGD290XN,115 [更多] | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 20V 0.86A 6-Pin TSSOP T/R - Cut TR (SOS) (Alt: PMGD290XN,115/BKN) RoHS: Compliant | 搜索 |
| PMGD290XN,115 [更多] | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 20V 0.86A 6-Pin TSSOP T/R - Tape and Reel (Alt: PMGD290XN,115) RoHS: Compliant | 搜索 |
| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| PMGD290XN,115 [更多] | Nexperia | MOSFET, N CH, TRENCH DL, 20V, SOT363
| 搜索 |
| PMGD290XN,115 [更多] | Nexperia | MOSFET, N CH, TRENCH DL, 20V, SOT363
| 搜索 |
| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| PMGD290XN,115 [更多] | Nexperia | Dual N-Channel 20 V 350 mO 0.41 W 0.72 nC Surface Mount ?TrenchMOS - SOT-363 RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 |
| 型号 | 制造商 | 描述 | 库存 | 起订量 | 单价 (含税) | 货期 (工作日) | 操作 |
| PMGD290XN,11 | NXP | MOSFET，双，N沟道，20V，0.86A，SOT363 | 查看库存、价格及货期 | ||||
| 产品描述 / 参考图片 | 制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号 | 操作 | ||
| 制造商零件编号： PMGD290XN,115 品牌： Nexperia 库存编号： 725-8394 | 搜索 |
| 参考图片 | 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名 | 操作 | |
 | Nexperia USA Inc. MOSFET 2N-CH 20V 0.86A 6TSSOP 详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 860mA 410mW Surface Mount 6-TSSOP 型号：PMGD290XN,115 仓库库存编号：1727-3126-1-ND 别名：1727-3126-1 <br>568-2366-1 <br>568-2366-1-ND <br> |  | 搜索 |
| 参考图片 | 型号/品牌 | 描述 / 技术参考 | 操作 |
 | PMGD290XN 115 NXP Semiconductors | MOSFET N-CH TRENCH DL 20V 暂无PDF | 查价格库存 查看详细 |
| PMGD290XN,11 NXP | MOSFET，双，N沟道，20V，0.86A，SOT363 暂无PDF | 查价格库存 查看详细 |
 | PMGD290XN,115 NXP | PMGD 系列 20 V 350 mΩ 410 mW 双N沟道 μTrenchMOS 低电平 FET - SOT-363 | 查价格库存 查看详细 |
 | PMGD290XN115 NXP | 场效应管 MOSFET N沟道 微槽技术 双路 20V SOT363 | 查价格库存 查看详细 |
| 参考图片 | 型号/品牌 | 描述 / 技术参考 | 操作 |
| PMGD290XN,115 NXP | PMGD 系列 20 V 350 mΩ 410 mW 双N沟道 μTrenchMOS 低电平 FET - SOT-363 | 查价格库存 查看详细 |
| PMGD290XN,115 NXP Semiconductors | MOSFET N-CH TRENCH DL 20V 6TSSOP | 查价格库存 查看详细 |
| PMGD290XN,11 NXP | MOSFET，双，N沟道，20V，0.86A，SOT363 暂无PDF | 查价格库存 查看详细 |
| PMGD290XN115 NXP | 场效应管 MOSFET N沟道 微槽技术 双路 20V SOT363 | 查价格库存 查看详细 |
| 参考图片 | 型号/品牌 | 描述 / 技术参考 | 操作 |
 | PMGD290XN,115 NXP Semiconductors | MOSFET N-CH TRENCH DL 20V SOT363 | 查价格库存 查看详细 |
PDF查询| 典型关断延迟时间 | 11 ns | |
| 典型接通延迟时间 | 5 ns | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 0.72 常闭 V @ 4.5 | |
| 典型输入电容值@Vds | 34 pF V @ 20 | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 宽度 | 1.35mm | |
| 封装类型 | SOT-363 | |
| 尺寸 | 2.2 x 1.35 x 1mm | |
| 引脚数目 | 6 | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 最大功率耗散 | 0.41 W | |
| 最大栅源电压 | ±12 V | |
| 最大漏源电压 | 20 V | |
| 最大漏源电阻值 | 0.35 Ω | |
| 最大连续漏极电流 | 0.86 A | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 每片芯片元件数目 | 2 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 通道类型 | N | |
| 配置 | 双 | |
| 长度 | 2.2mm | |
| 高度 | 1mm |
