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MOSFET, N-CH, AEC-Q101, 650V, TO-263-3

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	Infineon Technologies MOSFET N-CH TO263-3 详细描述：表面贴装 N 沟道 650V 31.2A（Tc） 277.8W（Tc） PG-TO263 型号：IPB65R110CFDAATMA1 仓库库存编号：IPB65R110CFDAATMA1-ND 别名：SP000896402 <br>	无铅	搜索

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IPB65R110CFDAATMA1	2726046	INFINEON 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 31.2 A, 650 V, 0.099 ohm, 10 V, 4 V (EN)	搜索