| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| IPB60R950C6ATMA1 [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET N-CH 600V 4.4A TO263 RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 查看资料 |
| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| IPB60R950C6 [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET N-Ch 650V 4.4A D2PAK-2 CoolMOS C6 RoHS: Compliant | 搜索 |
| IPB60R950C6ATMA1 [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET LOW POWER_LEGACY
| 搜索 |
| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| IPB60R950C6ATMA1 [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFETs RoHS: Compliant | 搜索 |
| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| IPB60R950C6 [更多] | Infineon Technologies AG | Trans MOSFET N-CH 600V 4.4A 4-Pin TO-263 T/R (Alt: IPB60R950C6) RoHS: Compliant | 搜索 |
| IPB60R950C6ATMA1 [更多] | Infineon Technologies AG | Trans MOSFET N-CH 600V 4.4A 4-Pin(3+Tab) TO-263 (Alt: IPB60R950C6ATMA1) RoHS: Compliant | 搜索 |
| IPB60R950C6ATMA1 [更多] | Infineon Technologies AG | Trans MOSFET N-CH 600V 4.4A 4-Pin(3+Tab) TO-263 - Tape and Reel (Alt: IPB60R950C6ATMA1) RoHS: Compliant | 搜索 |
| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| IPB60R950C6ATMA1 [更多] | Infineon Technologies AG | Trans MOSFET N-CH 600V 4.4A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
| 搜索 |
| 型号 | 制造商 | 描述 | 库存 | 起订量 | 单价 (含税) | 货期 (工作日) | 操作 |
| IPB60R950C6 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 4.4A TO263 | 查看库存、价格及货期 | ||||
| 参考图片 | 型号/品牌 | 描述 / 技术参考 | 操作 |
 | IPB60R950C6 INFINEON | 场效应管 MOSFET N沟道 600V 4.4A TO263  | 查价格库存 查看详细 |
| 参考图片 | 型号/品牌 | 描述 / 技术参考 | 操作 |
| IPB60R950C6 INFINEON | 场效应管 MOSFET N沟道 600V 4.4A TO263 | 查价格库存 查看详细 |
 | IPB60R950C6 Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 4.4A TO263 | 查价格库存 查看详细 |
| 参考图片 | 型号/品牌 | 描述 / 技术参考 | 操作 |
 | IPB60R950C6 Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 4.4A TO263 | 查价格库存 查看详细 |
| 参考图片 | 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名 | 操作 | |
 | Infineon Technologies MOSFET N-CH 600V 4.4A TO263 详细描述：表面贴装 N 沟道 4.4A（Tc） 37W（Tc） PG-TO263-2 型号：IPB60R950C6 仓库库存编号：IPB60R950C6CT-ND 别名：IPB60R950C6CT <br> | | 搜索 |
| 产品描述 / 参考图片 | 制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号 | 操作 | ||
| 制造商零件编号： IPB60R950C6 品牌： Infineon 库存编号： 826-9500 | 搜索 |
PDF查询| 数据列表 | IPx60R950C6 |
|---|---|
| 产品相片 | TO-263 |
| 产品培训模块 | CoolMOS™ CP High Voltage MOSFETs Converters |
| 标准包装 | 1,000 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | FET - 单 |
| 系列 | CoolMOS™ |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| FET 类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 功能 | 标准 |
| 漏源极电压 (Vdss) | 600V |
| 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时） | 4.4A |
| 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值） | 950 毫欧 @ 1.5A，10V |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） | 3.5V @ 130µA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 13nC @ 10V |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 280pF @ 100V |
| 功率 - 最大值 | 37W |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商器件封装 | PG-TO263-2 |
| 其它名称 | IPB60R950C6-ND SP000660620 |
