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Infineon Technologies - FF150R12MS4G - IGBT 模块 N-CH 1.2KV 225A - FF150R12MS4G
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FF150R12MS4GBOSA1
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IGBT MODULE VCES 1200V 150A

RoHS: Not Compliant | pbFree: No

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FF150R12MS4G
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IGBT Modules N-CH 1.2KV 225A

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FF150R12MS4G
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IGBT

RoHS: Compliant | pbFree: Yes

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FF150R12MS4G
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Trans IGBT Module N-CH 1.2KV 225A 11-pin ECONOD-3 (Alt: FF150R12MS4G)

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FF150R12MS4G
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Trans IGBT Module N-CH 1.2KV 225A 11-pin ECONOD-3 (Alt: FF150R12MS4G)

RoHS: Compliant

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FF150R12MS4G
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Trans IGBT Module N-CH 1.2KV 225A 11-pin ECONOD-3 (Alt: FF150R12MS4GBOSA1)

RoHS: Compliant

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FF150R12MS4GBOSA1
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MEDIUM POWER ECONO - Trays (Alt: FF150R12MS4GBOSA1)

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FF150R12MS4GBOSA1
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Trench and Field Stop IGBT4un

RoHS: Compliant

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FF150R12MS4GBOSA1
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IGBT, MODULE, N-CH, 1.2KV, 225A

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Infineon Technologies		IGBT 模块 N-CH 1.2KV 225A
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声明：图片仅供参考，请以实物为准！
FF150R12MS4G
制造商型号： FF150R12MS4G
制造商： Infineon Technologies
描述： IGBT 模块 N-CH 1.2KV 225A
技术参考： PDF查询
库存状态： 实时库存查询  深圳原厂原装现货
备注： 代理销售世界各大品牌电子元器件，大量原厂原装正品货
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产品信息
制造商:Infineon
产品:IGBT Silicon Modules
配置:Dual
集电极—发射极最大电压 VCEO:1200 V
在25 C的连续集电极电流:225 A
最大工作温度:+ 125 C
封装 / 箱体:Econo D
栅极/发射极最大电压:+/- 20 V
最小工作温度:- 40 C
安装风格:Screw
工厂包装数量:12

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