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Infineon Technologies - FF150R12ME3G - IGBT 模块 N-CH 1.2KV 200A - FF150R12ME3G
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FF150R12ME3GBOSA1
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Infineon Technologies AG

IGBT MODULE VCES 1200V 150A

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型号 制造商 描述 操作
FF150R12ME3G
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Infineon Technologies AG

IGBT Modules N-CH 1.2KV 200A

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2SP0115T2A0-FF150R12ME3G
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Power Integrations

Power Management Modules 2SP0115T PI Gate Driver ONLY

RoHS: Not compliant
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2SP0115T2B0-FF150R12ME3G
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Power Integrations

Power Management Modules 2SP0115T PI Gate Driver ONLY

RoHS: Not compliant
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DB01-FF150R12ME3G
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Power Integrations

Power Management Modules DB01

RoHS: Not compliant
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FF150R12ME3G
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Trans IGBT Module N-CH 1.2KV 200A 11-pin ECONOD-3 - Bulk (Alt: FF150R12ME3G)

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FF150R12ME3G
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Infineon Technologies AG

Trans IGBT Module N-CH 1.2KV 200A 11-pin ECONOD-3 (Alt: SP000317332)

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FF150R12ME3GBOSA1
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Infineon Technologies AG

MEDIUM POWER ECONO - Bulk (Alt: FF150R12ME3GBOSA1)

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FF150R12ME3GBOSA1
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Infineon Technologies AG

MEDIUM POWER ECONO - Trays (Alt: FF150R12ME3GBOSA1)

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FF150R12ME3GBOSA1
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Infineon Technologies AG  
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Infineon Technologies
IGBT 模块 N-CH 1.2KV 200A
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IGBT 模块 N-CH 1.2KV 200A
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FF150R12ME3G
制造商型号: FF150R12ME3G
制造商: Infineon Technologies
描述: IGBT 模块 N-CH 1.2KV 200A
技术参考: PDF查询
库存状态: 实时库存查询  深圳原厂原装现货
备注: 代理销售世界各大品牌电子元器件,大量原厂原装正品货
订购热线: 400-900-3095, QQ:800152669销售世界各大品牌电子元器件,大量原厂原装正品现货sales@szcwdz.com
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产品信息
制造商:Infineon
产品:IGBT Silicon Modules
配置:Dual
集电极—发射极最大电压 VCEO:1200 V
集电极—射极饱和电压:1.7 V
在25 C的连续集电极电流:200 A
栅极—射极漏泄电流:400 nA
功率耗散:695 W
最大工作温度:+ 125 C
封装 / 箱体:EconoDUAL-3
栅极/发射极最大电压:+/- 20 V
最小工作温度:- 40 C
安装风格:Screw
工厂包装数量:12

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