| 型号 | 制造商 | 描述 | 库存 | 起订量 | 单价 (含税) | 货期 (工作日) | 操作 |
| IRLR4343TRL | International Rectifier | MOSFET N-CH 55V 26A DPAK | 查看库存、价格及货期 | ||||
| 参考图片 | 型号/品牌 | 描述 / 技术参考 | 操作 |
 | IRLR4343TRL International Rectifier | MOSFET N-CH 55V 26A DPAK  | 查价格库存 查看详细 |
| 参考图片 | 型号/品牌 | 描述 / 技术参考 | 操作 |
 | IRLR4343TRL International Rectifier | MOSFET N-CH 55V 26A DPAK | 查价格库存 查看详细 |
 | IRLR4343TRLPBF International Rectifier | MOSFET N-CH 55V 26A DPAK | 查价格库存 查看详细 |
| 参考图片 | 型号/品牌 | 描述 / 技术参考 | 操作 |
| IRLR4343TRL International Rectifier | MOSFET N-CH 55V 26A DPAK | 查价格库存 查看详细 |
| IRLR4343TRLPBF International Rectifier | MOSFET N-CH 55V 26A DPAK | 查价格库存 查看详细 |
| 参考图片 | 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名 | 操作 | |
 | Infineon Technologies MOSFET N-CH 55V 26A DPAK 详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 26A（Tc） 79W（Tc） D-Pak 型号：IRLR4343TRL 仓库库存编号：IRLR4343CTL-ND 别名：*IRLR4343TRL <br>IRLR4343CTL <br> | | 搜索 |
PDF查询| 数据列表 | IRLR4343, IRLU4343/-701 |
|---|---|
| 产品相片 | TO-263 |
| 标准包装 | 3,000 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | FET - 单 |
| 系列 | HEXFET® |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| FET 类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 功能 | 逻辑电平门 |
| 漏源极电压 (Vdss) | 55V |
| 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时） | 26A （Tc） |
| 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值） | 50 毫欧 @ 4.7A，10V |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） | 1V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 42nC @ 10V |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 740pF @ 50V |
| 功率 - 最大值 | 79W |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商器件封装 | D-Pak |
