| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| IRF9Z34NLPBF [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET MOSFT PCh -55V -19A 100mOhm 23.3nC RoHS: Compliant | 搜索 |
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| IRF9Z34NLPBF [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 |
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| IRF9Z34NLPBF [更多] | Infineon Technologies AG | Trans MOSFET P-CH 55V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
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| IRF9Z34NLPBF [更多] | Infineon Technologies AG | Trans MOSFET P-CH 55V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube RoHS: Compliant | 搜索 |
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| IRF9Z34NLPBF. [更多] | Infineon Technologies AG | P CHANNEL MOSFET, -55V, 19A, TO-262
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| IRF9Z34NLPBF [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET, P-CH, -55V, -19A, TO-262-3
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| IRF9Z34NLPBF [更多] | Infineon Technologies AG | Transistor: P-MOSFET, unipolar, -55V, -19A, 68W, TO262, HEXFET?
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| IRF9Z34NL | International Rectifier | MOSFET P-CH 55V 19A TO-262 | 查看库存、价格及货期 | ||||
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 | Infineon Technologies MOSFET P-CH 55V 19A TO-262 详细描述：通孔 P 沟道 55V 19A（Tc） 3.8W（Ta），68W（Tc） TO-262 型号：IRF9Z34NL 仓库库存编号：IRF9Z34NL-ND 别名：*IRF9Z34NL <br> |  | 搜索 |
| Infineon Technologies MOSFET P-CH 55V 19A TO-262 详细描述：通孔 P 沟道 55V 19A（Tc） 3.8W（Ta），68W（Tc） TO-262 型号：IRF9Z34NLPBF 仓库库存编号：IRF9Z34NLPBF-ND 别名：*IRF9Z34NLPBF <br>SP001570616 <br> | | 搜索 |
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| 制造商零件编号： IRF9Z34NLPBF 品牌： Infineon 库存编号： 907-5056 | 搜索 |
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IRF9Z34NLPBF. | 1162958 | INFINEON 场效应管, P通道, MOSFET, -55V, 19A, TO-262 (EN) | 搜索 |
IRF9Z34NLPBF | 2576890 | INFINEON 晶体管, MOSFET, P沟道, -19 A, -55 V, 0.1 ohm, -10 V, -4 V (EN) | 搜索 |
PDF查询| 数据列表 | IRF9Z34NS/L |
|---|---|
| 标准包装 | 50 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | FET - 单 |
| 系列 | HEXFET® |
| 包装 | 管件 |
| FET 类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 功能 | 标准 |
| 漏源极电压 (Vdss) | 55V |
| 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时） | 19A （Tc） |
| 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值） | 100 毫欧 @ 10A，10V |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 35nC @ 10V |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 620pF @ 25V |
| 功率 - 最大值 | 3.8W |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA |
| 供应商器件封装 | TO-262 |
| 其它名称 | *IRF9Z34NL |
