| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| IRF9Z30PBF [更多] | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 50V 18A TO-220AB RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 查看资料 |
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| IRF9Z30PBF [更多] | Vishay Intertechnologies | Trans MOSFET P-CH 50V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB RoHS: Compliant | pbFree: No | 搜索 |
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| IRF9Z30PBF [更多] | Vishay Intertechnologies | Trans MOSFET P-CH 50V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB - Bulk (Alt: IRF9Z30PBF) RoHS: Not Compliant | 搜索 |
| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| IRF9Z30PBF [更多] | Vishay Intertechnologies | Trans MOSFET P-CH 50V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB RoHS: Compliant | 搜索 |
| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| IRF9Z30PBF [更多] | Vishay Intertechnologies | MOSFET, P-CH, -50V, -18A, TO-220AB-3
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| IRF9Z30PBF. [更多] | Vishay Intertechnologies | P CHANNEL MOSFET, -50V, 18A, TO-220AB
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| IRF9Z30PBF [更多] | Vishay Intertechnologies | Single P-Channel 50 V 0.14 Ohms Flange Mount Power Mosfet - TO-220AB RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 |
| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| IRF9Z30PBF [更多] | Vishay Intertechnologies | MOSFET P-Chan 50V 18 Amp RoHS: Compliant | pbFree: Pb-Free | 搜索 |
| 型号 | 制造商 | 描述 | 库存 | 起订量 | 单价 (含税) | 货期 (工作日) | 操作 |
| IRF9Z30PBF | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 50V 18A TO-220AB | 查看库存、价格及货期 | ||||
| 参考图片 | 型号/品牌 | 描述 / 技术参考 | 操作 |
 | IRF9Z30PBF VISHAY | 单 P 沟道 50 V 0.14 Ohms 法兰安装 功率 Mosfet - TO-220AB  | 查价格库存 查看详细 |
| 参考图片 | 型号/品牌 | 描述 / 技术参考 | 操作 |
 | IRF9Z30PBF VISHAY | 单 P 沟道 50 V 0.14 Ohms 法兰安装 功率 Mosfet - TO-220AB | 查价格库存 查看详细 |
| IRF9Z30PBF Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 50V 18A TO-220AB | 查价格库存 查看详细 |
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 | IRF9Z30PBF Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 50V 18A TO-220AB | 查价格库存 查看详细 |
| 制造商产品编号 | 仓库库存编号 | 制造商 / 说明 / 规格书 | 操作 |
IRF9Z30PBF. | 9765867 | VISHAY 场效应管, MOSFET, P沟道, TO-220AB (EN) | 搜索 |
IRF9Z30PBF | 2547298 | VISHAY 晶体管, MOSFET, HEXFET, P沟道, -18 A, -50 V, 0.093 ohm, -10 V, -4 V (EN) | 搜索 |
| 参考图片 | 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名 | 操作 | |
 | Vishay Siliconix MOSFET P-CH 50V 18A TO-220AB 详细描述：通孔 P 沟道 18A（Tc） 74W（Tc） TO-220AB 型号：IRF9Z30PBF 仓库库存编号：IRF9Z30PBF-ND 别名：*IRF9Z30PBF <br> | | 搜索 |
PDF查询| 数据列表 | IRF9Z30PBF Packaging Information |
|---|---|
| 产品相片 | TO-220-3, TO-220AB |
| 产品目录绘图 | IR(F,L)x Series Side 1 IR(F,L)x Series Side 2 |
| 标准包装 | 1,000 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | FET - 单 |
| 系列 | HEXFET® |
| 包装 | 管件 |
| FET 类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 功能 | 标准 |
| 漏源极电压 (Vdss) | 50V |
| 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时） | 18A （Tc） |
| 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值） | 140 毫欧 @ 9.3A，10V |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 39nC @ 10V |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 900pF @ 25V |
| 功率 - 最大值 | 74W |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 供应商器件封装 | TO-220AB |
| 产品目录页面 | 1528 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称 | *IRF9Z30PBF |
